3月25日，星期四，三星宣布現在正在開發一個名為DDR5的高速記憶模塊。根據韓國公司的說法，這是它為高級計算鋪平道路的第一個DRAM。
HKMG或High-K金屬門工藝技術可能達到7,200Mbps的數據傳輸速度。此外，它現在比通常的DDR4快，它的速度比較舊的內存快兩倍。
三星縮放通過DDR5進行高級計算
根據三星新聞編輯室，它的第一個DDR5內存依賴於最新技術在超級計算過程中有用。據說它具有512 GB的空間，並且具有適合人工智能（AI），高級計算，數據分析以及機器學習等系統的完整能力。
對於Young-Soo Sohn，三星電子公司的副總裁Young-Soo Sohn設法成為唯一一家專門生產與HKMG技術集成的令人印象深刻的半導體的公司。
尖端的邏輯過程已轉變為側重於發展內存的產品開發。 Sohn繼續說，通過Dram Creation，三星只能為客戶提供高質量的服務，同時也可以提供更有效的解決方案。
記憶將幫助需要超快速和高科技技術採用的計算機，例如用於自動駕駛，醫學研究，金融和其他領域或其他領域的計算機。
對於英特爾的內存和IO技術總經理，Carolyn Duran，在處理需要保存，轉移和利用的大量數據時，DDR5的採用是有益的。 DDR5過渡強調了數據中心和網絡的需求，以使其配備更多此技術。
此外，英特爾副總裁補充說，該公司背後的工程團隊已經決定與三星合作，以便他們可以使用未決的Xeon可擴展處理器。聖塔克拉拉季度的公司為即將到來的處理器提供了代號為“藍寶石急流”。
為什麼HKMG技術是半導體的遊戲改變者？
在一份報告中ZDNET，三星選擇HKMG技術主要是為了替代隔熱時舊矽氧氣。這家科技巨頭表示，據說它的第一個DDR5的電流洩漏較小。由於矽提供的層較薄，因此三星想到了更好的解決方案來改善這一點。
當前的洩漏不僅在這裡解決了，而且DDR5通過其無可挑剔的業績超過了公司的期望。 HKMG現在使用的功率減少了13％，這使其與數據中心的使用更加兼容。
2018年，三星開始在其GDDR6內存中使用HKMG技術。那是該公司第一次將其用於其投資組合內存技術。該公司似乎正在探索DDR5的全部能力，因此它可以在其他公司中實現最佳的DRAM技術。
另外，三星的DDR5取決於通過（TSV）技術的透過矽。 DDR5的層中還包括16GB的DRAM芯片空間。該公司第一次使用TSV是在2014年，三星的內存能力只能達到256GB。
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由Joen Coronel撰寫
