หน่วยความจำนี้จะทำให้สมาร์ทโฟนของคุณเริ่มทำงานได้ภายในไม่กี่วินาที

นักวิจัยได้สร้างหน่วยความจำแบบเปลี่ยนเฟสโดยใช้แก้วคาลโคเจนไนด์ มันจะไม่เพียงแต่มีความหนาแน่นเป็นพิเศษเท่านั้น แต่ยังทนทานอีกด้วย

เดินตามรอยเท้าของนักวิทยาศาสตร์จากมหาวิทยาลัยออกซ์ฟอร์ดนักวิจัยของไอบีเอ็มอาจเปิดทางสู่หน่วยความจำสากล ซึ่งจะรวมข้อดีของ DRAM (ระเหยแต่เร็ว) และหน่วยความจำแฟลช (เร็วน้อยกว่าแต่ไม่ลบเลือน) โดยไม่ประสบปัญหาความหนาแน่นที่เทคโนโลยีทั้งสองนี้เผชิญอยู่ในปัจจุบัน แท้จริงแล้ว ความละเอียดในการแกะสลัก (< 30 นาโนเมตร) มีขนาดเล็กมากจนเริ่มส่งผลกระทบต่อคุณภาพของการจัดเก็บ

IBM – นักวิจัย Nikolaos Papandreou แสดงชิปทดลองใต้แว่นขยาย

โซลูชันของ IBM คือ Phase Change Memory ที่ใช้แก้ว chalcogenide ซึ่งเหมือนกับที่ใช้ในการจัดเก็บข้อมูลบนซีดี/ดีวีดีที่เขียนซ้ำได้ แท้จริงแล้ว วัสดุนี้มีคุณสมบัติที่น่าสนใจมาก คือ เปลี่ยนโครงสร้างตามอุณหภูมิ เมื่อความร้อนสูงสุดมากกว่า 600°C กระจกจะละลายและกลายเป็นอสัณฐาน หากคุณให้ความร้อนนานขึ้นอีกเล็กน้อยที่ 400-500°C และปล่อยให้เย็นลงช้าลงอีกเล็กน้อย มันจะกลายเป็นผลึก

คุณสมบัติทางกายภาพของสถานะทั้งสองนี้แตกต่างกันไม่เพียงแต่ที่ระดับแสงเท่านั้น (ดังนั้นการใช้งานใน DC/DVD) แต่ยังรวมถึงทางไฟฟ้าด้วย ยิ่งกระจกมีรูปร่างอสัณฐานมากเท่าใด ความต้านทานก็จะยิ่งมากขึ้นเท่านั้น นอกจากนี้ สถานะเหล่านี้ยังมีความเสถียรไม่มากก็น้อยเมื่อเวลาผ่านไป ดังนั้นจึงสามารถสร้างหน่วยความจำแบบไม่ลบเลือนได้

สามบิตต่อเซลล์

นักวิจัยได้ทดลองใช้แก้ว chalcogenide มาระยะหนึ่งแล้ว ความก้าวหน้าหลักของ IBM คือความสำเร็จในการสร้างสถานะที่แตกต่างกัน 8 สถานะที่สอดคล้องกับระดับแรงดันไฟฟ้า 8 ระดับอย่างเสถียร ดังนั้นจึงทำให้สามารถเข้ารหัสได้ 3 บิตต่อเซลล์จัดเก็บข้อมูล เมื่อเทียบกับหนึ่งหรือสองเซลล์ก่อนหน้านี้ IBM แสดงความเป็นไปได้ทางเทคนิคของหน่วยความจำดังกล่าวโดยการสร้างชิปทดลอง “นี่เป็นขั้นตอนสำคัญเนื่องจากความหนาแน่นนี้ทำให้ต้นทุนของ PCM ต่ำกว่า DRAM และใกล้เคียงกับ Flash” ดร. Haris Pozidis ผู้เขียนร่วมของการศึกษาอธิบายในแถลงการณ์-

IBM – แรงดันไฟฟ้าทั้งแปดระดับยังคงมีเสถียรภาพเมื่อเวลาผ่านไป

ข้อดีอีกประการหนึ่ง: หน่วยความจำดังกล่าวสามารถเก็บข้อมูลได้อย่างน้อย 10 วัน และรองรับรอบการอ่าน/เขียนมากกว่าหนึ่งล้านรอบ เพื่อการเปรียบเทียบ หน่วยความจำแฟลชสามารถจัดเก็บข้อมูลได้ประมาณสิบปี (ในทางทฤษฎี) แต่รองรับรอบการอ่าน/เขียนเพียงไม่กี่พันครั้งเท่านั้น

ในแง่ของความเร็ว หน่วยความจำ PCM จะอยู่ระหว่าง Flash และ DRAM กรณีการใช้งานจึงมีหลายกรณี“ระบบปฏิบัติการของสมาร์ทโฟนสามารถจัดเก็บไว้ใน PCM ได้ ทำให้อุปกรณ์สามารถบู๊ตได้ภายในไม่กี่วินาที ในธุรกิจ ฐานข้อมูลทั้งหมดสามารถจัดเก็บไว้ใน PCM เพื่อให้สามารถประมวลผลข้อมูลความเร็วสูงสำหรับแอปพลิเคชันออนไลน์ เช่น ธุรกรรมทางการเงินขีดเส้นใต้ IBM ในแถลงการณ์-

🔴 เพื่อไม่พลาดข่าวสาร 01net ติดตามเราได้ที่Google ข่าวสารetวอทส์แอพพ์-

สามบิตต่อเซลล์

相關貼文