韩国移动设备动态 RAM 芯片存储半导体供应商 SK Hynix 悄然发布了基于该公司尚未发布的 16 Gb LPDDR4 IC（集成电路）的移动设备 8 GB LPDDR4 RAM 模块。
8 GB LPDDR4 芯片由四个 16 Gb DRAM 电路组成，与 64 位处理器配合使用时，传输速率为 3733 MT/s，带宽高达 29.8 GB/s。 RAM 封装采用标准 66 球或 376 球形状系数，与大多数移动设备兼容。
SK Hynix 的 8 GB LPDDR4 RAM 芯片采用该公司的 21 nm 制造技术制造。三星使用 10 nm 制造技术来构建其 8 GB LPDDR4 RAM 芯片，这使得三星能够将其芯片上的数据传输速率提高到 4266 MT/s。
根据产品目录，该公司尚未发布有关用于移动设备的新型 8 GB LPDDR4 ROM 芯片的任何官方公告，该芯片已准备好量产，我们预计部分 Android 设备将在 2017 年配备该芯片。
