Micron發布了有關其GDDR5X圖形內存的新信息，並且看起來下一代芯片將於今年晚些時候吸引其客戶。
GDDR5X背後的團隊旨在設計圖形內存，該圖形內存的運行速度可能是標準GDDR5設備的兩倍。這意味著挑戰是構建GDDR5X，以便它在10-14 Gbps的範圍內運行。
Micron全球圖形記憶業務總監Kristopher Kido Kristopher Kido說：“ [...]將提供令人信服的價值和更好的最終客戶體驗。”
有關圖形芯片的最新更新發生在9月，Micron有很多新的細節可共享。
第一個組件已經退出了製造階段，預計量產量將在夏季開始。不僅取得比預期的要快，而且設備達到的速度令人鼓舞：第一個操作記憶芯片在13 Gbps以上。
應當指出的是，Micro的第一代GDDR5X是8 GB（1GB）的密度，該密度是在20納米工藝技術上製造的。
查看官方網站要了解有關GDDR5X的JEDEC規格的更多信息。
GDDR5X帶有一些新技巧，使其適合未來並符合高端圖形系統。得益於現在在工作台之外的第一個組件，很明顯，QDR模式是該行業獲得13 Gbps或更高的高速數據速率的肯定方法。這更令人印象深刻，因為它發生在離散的存儲設備上。
速度不僅更好，而且動力排放明顯較低。由於VDD/VDDQ為1.35V，功率需求在性能中保持較低。系統信號完整性也得到了改善。更好的電氣性能來自一個新的包裝，其球螺距減少，進而可以較短的PCB軌跡。
以下是使Micron的GDDR5X圖形內存之間有所不同的主要功能：QDR模式使無與倫比的13 Gbps數據速率，VDD/VDDQ為1.35V增加了每位比率的功率，而190 ball FBGA軟件包，0.65 mm的音高確保記憶力確保在功率消耗方面提高了效率。
由於離散組件中實現的新系統數據速率，下一代圖形生態系統將看到一個巨大的飛躍。離散組件的另一個優點是，它們通過使用當前的製造基礎架構將BOM成本保持在有利可圖的水平（與GDDR5相符）。
GDDR5X為多個框架緩衝區大小而讓路。例如，開發人員可以在X32或X16中運行GDDR5X。還可以使用更高的速度箱，因此超頻是新圖形記憶的一種選擇。
“我們計劃在今年夏天全額生產，”基多告訴Micron的未來計劃。
他接著說，該公司認為GDDR5X將來有可能達到14 Gbps及更多Gbps，並保證該開發的最新消息將盡快到達媒體。
這不是Micron首次採用革命性的方法來進行高性能硬件。 2014年10月，Micron開始從事一項新的處理協會技術，稱為自動機處理器。
對於微米來說，這肯定是一個很棒的時期，其未來的客戶需要很多期待。
