三星已經開始大規模生產其新的系統芯片，並使用10納米技術生產半導體，並聲稱這是第一個開發的納米技術。
三星電子副總裁Jong Shik Yoon說：“該行業首次批量生產10NM FinFET技術證明了我們在高級流程技術方面的領導能力。”
10NM過程涉及高級3D晶體管結構，以及與14NM工藝相比，設計支持和工藝技術的改進。智能手機行業的性能可以提高27％，功耗下降了40％，如報告通過商業電線。
正如公司聲明所寫的那樣，新設備將使用新芯片。它沒有指定將使用哪種設備使用10nm芯片，但該設備將於明年年初推出。未命名的設備很有可能是星系S7之後的三星的下一個旗艦設備，稱為Galaxy S8。 “明年年初”的時間戳進一步證明了這一點，因為三星在上半年發布了其“ S”陣容，下半年的“ Note”陣容。但是，在註釋7的繼任者上沒有任何消息。
有傳言說，三星Galaxy 8具有4K顯示屏，並支持虛擬現實，並且一個處理器非常牢固地了解了移動VR技術的功率要求。它是據稱將Exynos 8895處理器包裝在ARM的GPU上，將ARM的新馬里G71包裝。
Arm的網站列表說：“ Mali-G71 GPU是明確開發的，目的是滿足新行業進步的需求，例如Khronos的Vulkan跨平台圖形API，以及對流動VR的流動VR體驗的不斷增長的需求。”暗示了Galaxy S8的傳聞中有4K VR的展示。
以前的技術時間報告三星將專門製造高通公司的Snapdragon 830處理器，這是Snapdragon 820的繼任者。三星與高通公司處於良好的工作關係；它仍然生產到今天的820。據報導，830將使用10nm技術生產。
如果謠言是真的，三星是在美國運輸帶有Snapdragon 830的Galaxy S8單元，而Galaxy S8單元的Exynos 8895將運送到世界其他地區，該公司採用了Galaxy S7和S7 Edge設備實施了類似的策略。
如前所述，三星的10NM SOC技術將於明年年初推出，並將在整個2017年進入更多設備。
三星芯片業務是一種由於Galaxy Note 7設備的停止而彌補其巨額利潤損失的一種方式，該設備的生產停止了其危及生命的設計缺陷，遭受了關鍵，商業甚至法律的反彈，從而導致設備出乎意料地爆炸。不用說，Galaxy S8如果三星學到了教訓，則不會繼承與Note 7的相同問題。
