如今，幾乎所有的半導體都利用具有立方晶體結構的矽，因為材料自然會以這種方式結晶。然而，研究人員創造了六邊形矽結構，與立方矽的能力相比，開闢了更多新穎性能的可能性。
在發表在《雜誌》上的一項研究中納米字母，埃里克·帕姆·巴克斯（Erik Pam Bakkers）和同事詳細介紹了他們的工作，並解釋說普通的立方矽無法發光，因為它具有間接的頻帶隙。不過，根據計算，將鍺添加到六邊形矽中可以解決這個問題。
四十年來，光發射一直是電子行業的重要目標。隨著六角矽的產生，現在可以直接在電子芯片上進行光學通信。
這項研究是對純六邊形矽可以做什麼的首次明確證明，但這不是第一次生產材料。但是，較早的方法使得很難控制晶體的形成，並且沒有能夠明確驗證結構的能力。
研究人員在研究中解決了這些問題，因為研究人員使用新的手段來製造材料和表徵結構。新的製造方法利用了加熱到高溫的六角形納米線模板。當矽沉積在模板上時，結果是高質量的六邊形結構。納米線垂直生長，因此沒有重疊可以阻礙測量的測量，而這些測量必須用於表徵六邊形結構，從而可以進行更確定的驗證。
研究人員希望他們開發的新製造方法能夠使六角矽能夠充分評估，從而闡明材料的屬性確切的屬性，從而創建新的半導體供電子行業供電子產業使用。
將來，研究人員計劃使用與他們設計的相同方法來提出的六邊形鍺以及含有矽和鍺的化合物。
“下一步是混合鍺並研究光學特性，”說Bakkers補充說，他們的方法似乎有效，但仍在進行中。
研究的其他作者包括：朱利安·斯坦（Julian Stang），阿薩利（Assali）
照片：Yuri Samoilov |Flickr
