新一代記憶體MRAM繼續在高科技的道路上徘徊。自 20 世紀 90 年代開始開發的這種類型的磁性非揮發性記憶體（能夠儲存簡短的數據）在英特爾和三星在 64 世紀之際的推動下，重新成為人們關注的焦點。th沙龍國際電子裝置會議。
舊的新埃爾多拉多
這兩家半導體巨頭聲稱能夠生產磁性隨機存取記憶體模組，具有使用壽命（超過10年）、耐高熱（超過200°C，非常適合伺服器或嵌入式裝置）和讀取/寫入能力。高於目前DRAM 或NAND（用於SSD）元件。如果英特爾和三星在這次新的溝通中沒有具體說明，那麼每個模組的先進理論流速大約比目前 NAND 模組高出一千倍。反正 ！
英特爾正在討論能夠以 22 nm FFL 製造 STT（自旋轉移扭矩）模組（FinFET 低功耗）而在三星，我們談論的是在 FDSOI（全耗盡絕緣體上矽）中以 28 nm 工藝雕刻的組件。
兩個品牌都沒有具體說明何時可以開始大規模生產，但有一些消息提到EETimes網站– 聲稱英特爾 MRAM 已少量存在於可用解決方案中，但未具體說明是哪些解決方案。毫無疑問，產品會被發送給測試人員或製造商進行評估或比較，甚至設計原型。就三星而言，多次提到在過去兩年的貿易展或論壇上，大規模生產可能在 2019 年至 2020 年之間開始。
據專家稱，連接物件（物聯網或物聯網）領域將首先對這種類型的記憶體感興趣，因為它可以安裝在其他電路（SoC等）上並且具有誘人的理論能量。
從電到磁
在 MRAM 上，資訊不是模組中的電荷，而是磁性方向，適當的讀者知道如何解釋並轉換為資料形式。由於狀態變化過程中不涉及電子運動，因此理論上 MRAM 是不可穿戴的，並且消耗的電量更少，因為它不會受到與粒子運動相關的能量損失。
因此，MRAM 將成為目前記憶體解決方案的良好替代方案，因為該領域的進步空間仍然很大。此外，產生有幫助的技術進步的成本越來越低，而當前模組的情況並非如此！與當前記憶體完全相反，當前記憶體的小型化在時間和金錢方面變得越來越乏味且昂貴。
然而，MRAM 的大規模到來還沒有到來。毫無疑問，它需要很長時間才能在條帶以及我們的電腦、智慧型手機等的儲存解決方案中建立起來。
2013年，該領域20多家日本和美國巨頭圍繞MRAM組建了聯盟，以加強該領域的研究並開始確保在2018年之前實現生產。
