韓國巨頭的電子元件部門三星電子正在大規模生產第五代 V-NAND 儲存模組（256 Gbit 或 32 GB）。三星表示，該模組無疑將出現在該品牌未來的高階智慧型手機中，例如 Galaxy S10，其速度將達到 1.4 Gbit/s，比第四代提高 40%。
仍根據該巨頭的新聞稿，所使用的製造工藝稱為“切換 DDR 4.0」並將模組的功耗從 1.8 伏特降低到 1.2 伏，這本身就是巨大的，並將讀/寫性能提高了 500 微秒。
每個模組內部至少有90層細胞（3D 電荷陷阱快閃記憶體（CTF）細胞）以金字塔形式彼此堆疊。三星宣布，模組中總共有 850 億個這樣的單元，每個單元最多可容納 3 位元資料。迄今為止，還沒有其他解決方案能夠提供這種類型的性能和結構，因此三星是業內第一個提供這種性能和結構的解決方案。
對於8K？
在未來的智慧型手機上使用此類模組將進一步提高其視訊性能。以每秒 60 幀的速度進行 4K 拍攝需要快速儲存解決方案來儲存所有資訊並限制微剪輯或減速的影響。有了這樣的速度和儲存容量，我們甚至可以想像某些智慧型手機製造商將提供8K或每秒數百幀的慢動作模式拍攝的可能性。
來源 ：
三星
