全新的驍龍8 Elite,無論是晶片還是性能,都標誌著高通與之前的高階晶片的決裂!首個基準測試確實宣告了 2025 年 Android 智慧型手機面臨的嚴峻挑戰。
高通不想等到夏威夷年會開幕才第一次了解其新型高階晶片的功能驍龍8精英。命名法的變化(之前的晶片被編號為 Snapdragon 8“gen 2”、“gen 3”…)標誌著這家美國公司的雄心壯志:這是 Snapdragon 8 的行動版本Snapdragon X Elite 系列適用於個人電腦。
在表演的頂部
這款由台積電 (TSMC) 採用 3 奈米製程製造的新型系統單晶片 (SoC) 的最大新穎之處在於,處理器中存在兩個 Oryon 內核,這與為 Snapdragon X Elite 提供動力的內核相同。高通公司製定的第一個基準測試證實了與去年的 Snapdragon 8 Gen 3。
這在 Geekbench 測試中尤其明顯,它提供了處理器功能的綜合視圖。在單核測試中,Elite 的得分為 3,221,而第三代的得分約為 2,190。
順便說一句,Snapdragon 8 Elite對A18 Pro晶片進行了製止:如果iPhone 16 Pro的單核心分數接近(根據01lab測量為3,353),則多核心測試的分數僅為8 208” ” 對於蘋果 SoC。
AnTuTu 3 基準測試的進步同樣引人注目,該基準測試衡量晶片所有組件的性能。總分為 3,014,075,而 Gen 3 為 2,064,591。 Elite(Adreno 830 GPU)的圖形電路也在那裡:因此 3DMark WildLife 測試(無限離屏)每秒顯示 149 個圖像,而 Gen 為 103 fps 3.
Snapdragon 8 Elite 也為新的神經處理單元騰出了空間,用於與人工智慧相關的計算(例如照片處理)。在這裡,結果也與 Snapdragon 8 Gen 3 保持一致:新晶片的 AITuTu 基準測試結果為 2,011,071,而去年晶片的 AITuTu 測試結果為 1,511,536。
顯然,製造商提供的這些長凳應該持保留態度,等待獨立測試。但我們已經可以預測原始效能將大幅提升。高通承諾將 SoC 整體效能提高 45%,電池壽命延長 44%。