Snapdragon 835: Qualcomm จัดทำชิปสมาร์ทโฟนตัวถัดไปอย่างเป็นทางการ

ชาร์จ 5 นาที ใช้งานแบตเตอรี่ได้อีก 5 ชั่วโมง นี่เป็นคุณสมบัติอย่างเป็นทางการครั้งแรกของ Snapdragon 835 ประสิทธิภาพที่เกิดขึ้นได้ด้วยระบบการชาร์จด่วน Quick Charge 4 ใหม่ นอกจากนี้ยังสัญญาว่าจะชาร์จแบตเตอรี่สมาร์ทโฟนครึ่งหนึ่งที่ใช้งานในเวลาเพียง 15 นาที นั่นคือความเร็วเพิ่มขึ้น 20% เมื่อเทียบกับ Quick Charge 3 ปัจจุบัน คุณสมบัติที่เหลือของ SoC (ระบบบนชิป) ซูเปอร์สตาร์คนต่อไปของ Qualcomm จะเปิดตัวอย่างเป็นทางการที่งาน CES ในลาสเวกัสในวันที่ 3 มกราคม 2017

ในระหว่างการประชุมสุดยอดเทคโนโลยีประจำปีซึ่งกำลังจัดขึ้นที่นิวยอร์ก Qualcomm ได้ตั้งชื่อชิปอย่างเป็นทางการซึ่งจะมาแทนที่ Snapdragon 820 ระบบนี้มีแนวโน้มที่จะติดตั้งสมาร์ทโฟนระดับไฮเอนด์รุ่นต่อไปซึ่งจะเปิดตัวใน ปี 2017 เริ่มต้นด้วย Galaxy S8 เวอร์ชันอเมริกาที่ทุกคนตั้งตารอคอย

Samsung จะดูแลการแกะสลักขนาด 10 นาโนเมตร

Samsung ยังได้เชิญตัวเองเข้าร่วมงานปาร์ตี้บนเวทีนิวยอร์กของ Qualcomm ผ่าน Ben Sur รองประธานฝ่ายประมวลผลของแบรนด์เกาหลีใต้ เขายืนยันว่าเป็น Samsung ที่จะผลิต Snapdragon 835 ใหม่ในโรงงานของตน โดยแกะสลักที่ 10 นาโนเมตร ส่วน Snapdragon 820 ใช้การแกะสลักที่ 14 นาโนเมตร

อย่างไรก็ตาม ไม่มีอะไรน่าแปลกใจจริงๆ เกี่ยวกับการประกาศนี้ Samsung มีหน้าที่รับผิดชอบในการผลิต Qualcomm SoC รุ่นก่อนหน้าอยู่แล้ว เมื่อเดือนตุลาคมปีที่แล้ว บริษัทประกาศว่าจะเริ่มการผลิตชิปขนาด 10 นาโนเมตรจำนวนมากในเร็วๆ นี้ เทคโนโลยีนี้จะลดขนาดของ SoC ลง 30% (เพิ่มพื้นที่ว่างภายในสมาร์ทโฟน) เพิ่มประสิทธิภาพขึ้น 27% ในขณะที่ใช้พลังงานน้อยลง 40%

เราคาดหวังอย่างมากจากแพลตฟอร์มอ้างอิงใหม่นี้ ซึ่งจะต้องพิสูจน์อย่างเป็นรูปธรรมถึงประสิทธิภาพที่เพิ่มขึ้นรวมกับการลดการใช้ไฟฟ้า Snapdragon 835 ควรได้รับการออกแบบสำหรับการใช้งานเสมือนจริงและความเป็นจริงเสริม เมื่อเดือนกันยายนปีที่แล้วที่ IFA ในกรุงเบอร์ลินQualcomm ได้นำเสนอชุดหูฟังประเภทนี้เป็นครั้งแรกเป็นการตอกย้ำถึงความปรารถนาที่จะเป็นผู้เล่นสำคัญในภาคส่วนที่กำลังเฟื่องฟูนี้

🔴 เพื่อไม่พลาดข่าวสาร 01net ติดตามเราได้ที่Google ข่าวสารetวอทส์แอพพ์-