我们的智能手机和计算机变得越来越小,更强大。为了保持步伐,芯片制造商不断收缩并增强为它们供电的芯片。现在,物理学家已经推出了一种开创性的技术,以完善单个原子的半导体。
这种新方法(出版在《自然光子学》杂志中,称为Lightwave驱动的Terahertz扫描隧道显微镜(THZ-STM),使研究人员可以在原子水平上分析材料,并有望在电子设备中取得重大进步。
台湾Hsinchu- 9月16日:2022年9月16日在台湾台湾台湾台湾的台湾半导体研究机构展出的硅晶片的特写。 照片由Annabelle Chih/Getty图像

介绍THZ-STM:操纵单个原子
THZ-STM是Terahertz(THZ)辐射和扫描隧道显微镜(STM)。 THZ辐射由电磁波组成,其频率位于红外和微波范围之间。
另一方面,STM使用原子上尖锐的尖端扫描材料表面,从而可视化和操纵单个原子。
这两种技术的组合产生了一种强大的方法,其中Terahertz脉冲驱动电流横向STM尖端和所研究材料之间的微小间隙(隧道连接)。
通过使用THZ-STM,科学家可以理解电子的排列方式并在材料中移动,从而为材料的电子特性提供了见解。
它如何工作?
传统方法,例如扫描近场光学显微镜,分析了尖端散布的光子,以了解微观尺度的材料特性。
相比之下,THZ-STM采用短而强大的Terahertz辐射,在隧道交界处产生了快速的电流。该电流提供了对电子状态局部密度的见解,并提供了材料电子特性的详细视图。
尽管这两种方法旨在了解微观尺度的材料特性,但THZ-STM对材料的电子特性提供了更详细和更具体的见解。
这个突破对芯片技术意味着什么
该方法能够以原子量表(10^-10米)研究材料的能力是革命性的。它允许科学家以前所未有的精度理解和操纵材料,这对于高级电子设备的开发至关重要。
从角度来看,人的头发比10^-10米的厚度约为80,000至100,000倍。
通过使用超快的terahertz脉冲,研究人员可以观察到在材料中发生的极快过程,以一秒钟的数百万分之一测量。该能力对于研究电子状态的局部密度至关重要,这对于开发新的电子设备和材料至关重要。
砷耐加仑是一种广泛用于电子产品的材料,是这项研究的重点。通过检查砷化韧带表面的缺陷,研究人员发现了与缺陷相关的特定terahertz共振。
这一发现很重要,因为砷耐加仑通常用于雷达系统,高效太阳能电池和现代电信设备中。通过缺陷分析理解和改善其性能可以导致更有效,更强大的电子产品。
更大的图片
该方法的关键优势之一是它能够区分样品的性质以及由Terahertz脉冲与样品的相互作用引起的影响。这种分离允许更准确的数据,从而有助于在原子水平上更好地了解材料。
扫描隧道显微镜(STM)等现有工具有助于发现单原子缺陷,但是新方法可显着增强该功能。
通过将STM与Terahertz Light耦合,研究团队创建了一个针对检测缺陷的灵敏度的探测器。
密歇根州立大学的首席研究员泰勒·科克(Tyler Cocker)说:“这些纳米材料是半导体的未来。”
保持在Tech Times。