制造商英特尔和美光（拥有 Lexar 和 Crucial 品牌）刚刚宣布推出 3D NAND 闪存，这将使未来制造 2.5 英寸 10 TB SSD 成为可能。该技术提高了闪存的密度。通过堆叠32层晶体管形成垂直存储单元。该解决方案避免了制造商在尝试减小晶体管尺寸或两个晶体管之间的空间时遇到的干扰问题。借助其垂直系统，英特尔和美光设计了约 12 x 11 毫米（英语中的“die”）的小型内存矩形，具有更高的密度：MLC 内存为 256 Gbit（每单元 2 位），TLC 内存为 384 Gbit（每单元 3 位）。细胞），生产成本较低。
相比之下，SSD 当前使用的内存矩形的密度要低两到三倍（128 GB）。制造商将多个矩形堆叠起来制作存储芯片。例如，Crucial 的 BX100 等 1TB SSD 有 16 个 64GB 芯片，每个芯片包含 4 个 128GB（16GB）矩形。层数不受限制，将来可以创建 1 Tbit 内存矩形，因此可以将 2.5 英寸 SSD 的容量从 1 TB 增加到……10 TB，也可以设计 3.5 TB SSD。略大于一片口香糖（M.2 格式）。
制造商尚未给出高容量 SSD 的发布日期，但采用英特尔和美光宣布的新内存，将有可能快速提供 2 TB 和 3 TB 的 2.5 英寸 SSD。
三星已经提供带有 3D 闪存的 SSD
这两家制造商并不是第一家推出 3D 闪存的制造商，因为三星先于他们推出了 3D 闪存。去年七月并已提供配备此类内存的 SSD：型号850专业版等850 EVO。然而，制造商在 850 Pro 上使用 86 Gbits MLC 内存，在 850 EVO 上使用 128 Gbits TLC 内存。因此英特尔和美光的内存密度是其三倍。两家制造商宣布将于第四季度开始生产，并于明年推出基于该技术的 SSD。
另外两家制造商也加入了 3D 闪存的竞争：SanDisk 和东芝。他们刚刚宣布推出 48 层 3D 存储器，计划明年在日本四日市的新联合工厂进行商业化生产。
