韩国巨头的电子元件部门三星电子正在大规模生产第五代 V-NAND 存储模块（256 Gbit 或 32 GB）。三星表示，该模块无疑将出现在该品牌未来的高端智能手机中，例如 Galaxy S10，其速度将达到 1.4 Gbit/s，比第四代提高 40%。
仍根据该巨头的新闻稿，所使用的制造工艺称为“切换 DDR 4.0”并将模块的功耗从 1.8 伏降低到 1.2 伏，这本身就是巨大的，并将读/写性能提高了 500 微秒。
每个模块内部至少有90层细胞（3D 电荷陷阱闪存（CTF）细胞）以金字塔形式彼此堆叠。三星宣布，模块中总共有 850 亿个这样的单元，每个单元最多可容纳 3 位数据。迄今为止，还没有其他解决方案能够提供这种类型的性能和结构，因此三星是业内第一家提供这种性能和结构的解决方案。
对于8K？
在未来的智能手机上使用此类模块将进一步提高其视频性能。以每秒 60 帧的速度进行 4K 拍摄需要快速存储解决方案来存储所有信息并限制微剪辑或减速的影响。有了这样的速度和存储容量，我们甚至可以想象某些智能手机制造商将提供8K或每秒数百帧的慢动作模式拍摄的可能性。
来源 ：
三星
