继Intel和Micron之后，轮到HP和SanDisk着手新一代内存的设计。我们的目标雄心勃勃：提供比当前闪存快 1000 倍、耐用 1000 倍的内存。这种性能水平还使得提供 DRAM 内存的更便宜的替代品成为可能，用作计算机和移动设备中的 RAM。
为此，两家制造商将结合各自的技术：HP 的忆阻器和 SanDisk 的 ReRAM。忆阻器被认为是电子学的圣杯，它仍然是一种理论上的元件，其特殊性在于其电阻值在施加电流时会发生变化。然后可以将其解释为“0”或“1”的值。惠普有2008年证实忆阻器的制造是可能的，并且从那时起就一直致力于其开发。
这两家制造商尚未提供有关这项新的通用技术的更多细节，但主要针对拥有数据中心的公司，提供非常适合管理海量数据流的未来 SSD……也许在向公众提供其产品之前。
惠普和 SanDisk 不打算向其他制造商提供其技术。最重要的是，您必须要有耐心，因为预计第一批产品不会在 2020 年之前推出。
