台积电已经是精细雕刻领域的全球领导者和高产量的绝对冠军，据报道，台积电正在为建设其最先进的新工厂做好充分准备。位于台湾，这将是世界上第一个大规模刻制 1nm 芯片的工厂。对于持续一周的智能手机？
更小：芯片制造商台积电必须在今年年底向客户交付首款 3 纳米 (N3) 芯片，并将很快启动其未来最先进的工厂雕刻芯片的建设……1 纳米。远非疯狂的谣言，此信息来自台湾商报《商报》（繁体链接）。一份出版物认为它知道工厂将设在哪里：在龙潭区的工业园区，该公司已经在那里运营着两个工厂——一个用于封装（芯片组装），另一个用于生产测试。
台湾台积电似乎势不可挡。自己判断吧：自从过渡到 7 nm 以来，它一直没有放弃缩小集成电路尺寸的冠军桂冠。其3纳米（N3E）的改进版本将于2023年底上市，2纳米已有望于2025年量产。在此背景下，1纳米精细雕刻的前景令人印象深刻。虽然看起来几乎合乎逻辑：台积电在五年左右的时间里一直在传达路线图。因此，对于创始人来说，2027 年 1 纳米的到来似乎已经成为现实。
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尽管如此，这种性能仍将极大有利于未来的产品。事实上，虽然从 3 nm 到 2 nm 意味着电路尺寸减少了 30%，但从 2 nm 到 1 nm 却增加了 50%！当我们知道 2 nm 有望提高 10% 到 15% 的性能，同时消耗的能量减少 25% 到 30% 时，我们可以想象 1 nm 的性能会提高一个数量级。
事实上，随着纯粹性能的提高，雕刻的精细度不再那么吸引人——谁能抱怨智能手机或高端笔记本电脑呢？ – 比用电量。如果台积电能够快速实现高效率，2030 年的芯片可能会成为节能的宝藏。最终可以在大多数移动终端中找到。让我们想象一下，谁知道，为期一周的耐力赛呢？
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如果说近几十年来雕刻的精细度一直是提高芯片性能的主轴之一，那么业界都知道，它可能存在低于 1 nm 的技术壁垒。从公告中可以明显看出：尽管 1nm 一直是我们专栏文章的主题，但我们从未听说过超越这一领域的成功实验。幸运的是，仍然有一些途径（例如 VFET）可以在恒定的精细度下提高性能。
但在等待碰壁的同时，台积电却在前进。远远领先于三星和英特尔。
来源 ： 台湾新闻、商报
