忘記一個64 GB RAM棒。這都是關於現在的128 GB模塊。
三星引入了第一個64 GB 3D TSV DDR4 DRAM一年後，已經開始在128 GB模塊中的第一台TSV（通過矽VIA）DDR4（雙重數據速率-4）的質量產量開始。超高容量模塊旨在用於數據中心和企業服務器。
“我們很高興高速，低功率128GB TSV DRAM模塊的數量生產將使我們的全球IT客戶和合作夥伴能夠啟動新一代的企業解決方案：”說三星電子的記憶銷售和營銷執行副總裁Joo Sun Choi。
128 GB TSV模塊由144個DDR4芯片組成，該芯片結構為36 4 GB DRAM包裝，每個包裝包含四個基於20納米的8 gigabit芯片。使用TSV技術組裝，每個芯片在上述模塊中都死於僅幾十微米，並且使用經過數百個孔的電極垂直連接。與傳統的模塊相比，所得的模塊可以通過電線粘結相互連接的堆疊堆疊堆疊。
通過擁有每個4 GB包嵌入數據緩衝區功能的主芯片，將進一步優化新模塊，以實現功耗和性能。因此，將功耗降低約50％的128 GB DDR4存儲模塊可提供2400 Mbps的速度，這是去年64 GB負載減少DIMM（LRDIMMS）的兩倍。
三星正在研究20納米8 GB DRAM芯片的生產。該公司還將提供更高的性能模塊，該模塊擴展到3200 Mbps和2,667 Mbps。 HBM（高帶寬內存）的應用也是一種可能性，以及消費者市場的適應性。
