高通公司正式公佈了其新的Snapdragon 835處理器，建立在三星的10NM流程上，不僅可以提高性能，還可以減少為設備充電所需的時間。
適用於移動設備的下一代SOC是高通公司廣泛的200多種設計陣容中的最新，最出色的SOC，並遵循強大的Snapdragon 820和821處理器，為最新的Android旗艦提供了動力。
三星理工學院的高通Snapdragon 835
使Snapdragon 835真正與眾不同的原因是它基於三星的10nm Finfet技術，這是半導體處理技術的前所未有的。
目前許多製造半導體的OEM依靠14NM技術，這已經令人印象深刻，但是10NM技術通過以分子級尺寸的分數進行連接來將其提升到一個新的水平。反過來，這應該大大提高性能，同時大大降低功耗。
通過與三星長達十年的合作，高通將利用10NM技術並大大改善其SOC，從Snapdragon 835開始。
“我們很高興繼續與三星合作開發領導移動行業的產品，”說Keith Kressin，產品管理高級技術中士。 “使用新的10NM流程節點有望允許我們的高級Snapdragon 835處理器提供更大的功率效率並提高性能，同時還可以添加許多新功能，以改善明天的移動設備的用戶體驗。”
Snapdragon 835如何更好？
據高通公司稱，新的Snapdragon 835的面積效率提高了30％，性能提高了27％，同時將功耗降低了40％。高通公司沒有指定其用於比較的理由，但可能與Snapdragon 820系列相比。
快速充電4
除了提高效率和性能外，Snapdragon 835還搖滾高通公司的最新Quick Charge 4技術，據稱與Quick Charge 3相比，充電時間更快20％。這應該可以轉化為超級快速充電時間，最多5小時的電池壽命，僅需5分鐘的充電。
高通以2,750 mAh的電池基於內部測試，這幾乎是當前市場上可用的高級智能手機的平均值。
但是，在電池耐力方面，Snapdragon 835票價如何與效率，性能和充電一樣重要，還有待觀察。快速充電4完全符合USB Type-C和USB-PD。高通以前有一些問題快速充電3 USB Type-C兼容性。
可用性
最後，Snapdragon 835帶有快速充電4和三星的10NM流程將在明年上半年上市，可能會乘坐高級旗艦產品，例如即將到來的三星Galaxy S8。考慮到這一點，我們可能會在CES 2017上獲得預覽。
