技術界現在知道Snapdragon 835已經完成了交易。高通公司已正式確認其存在，提供了更多細節，甚至黯然失色地為其前任提供的數據-Snapdragon 830。
除了一些謠言之外，宣布其宣布後，人們一直平靜，但是現在看來，芯片組似乎對GFXBENCH進行了訪問，並有效地提供了對Snapdragon 835的表現的更多見解。
最好的課
根據GFXBench測試中指示的數據，Snapdragon 835擊敗了所有現有的高級手機，包括iPhone 7加，三星Galaxy S7邊緣和OnePlus 3T。
有趣的是，測試中使用的835個芯片組仍然是開發單元，這意味著一旦2017年初推出，性能仍然可以顯著提高。
Snapdragon 835規格和功能
除了GPU的性能外，GFXBENCH測試還包括硬件數據。八核CPU，它時鐘在2.2 GHz是一個很好的例子。這項技術與最近有關的芯片將載有這八個核心的事情一致，這很可能是高通公司的Kryo系列的最新版本。
所有八個核心都不會以2.2 GHz運行報告。只有四個會以這種方式進行時鐘，而另外四個則具有較低的功率，但效率更高。
另外，雖然尚未確定搖動Snapdragon 835的設備，但它被列為5.9英寸的小發，配備了3.7 GB RAM，53 GB內部存儲空間和20 MP的後置攝像頭。自拍相機也很驚訝，因為它具有4K視頻。
到目前為止我們知道的
除了上面引用的數字和數據外，技術觀察者還手頭上還有更多具體信息。例如，它是通過三星的10nm FinFET Technology（這是一種開創性的半導體加工技術）生產的。
它與大多數半導體製造商所採用的當前14NM技術區別，其能力以分子級尺寸的分數建立連接。 10nm FinFET方法允許生產具有低功耗的更好性能設備。
在現實世界的表現中，Snapdragon 835據稱將在效率方面提高30％40％。
預計該籌碼將在移動世界大會上首次亮相三星Galaxy S8。
