三星剛剛在6月3日NM芯片上推出，但韓國創始人利用了他的優勢三星鑄造論壇在改進雕刻工藝方面推出了其路線圖的一部分。因此，它從2025年開始，其“等效2 nm”雕刻類別稱為SF2（三星鑄造廠2）。與當前3 nm的三星相比，這種技巧將帶來25％的能源效率，尺寸降低5％，尺寸降低5％。
而且第一個節點不會用於雕刻智能手機，平板電腦或PC處理器：三星也開發了將其用於生產記憶的可能性（LPDDR5X，HBM3P）。一旦開發了最初的SF2，三星將在2026年拒絕這項用於生產高性能跳蚤（SF2P）的雕刻技術和2027年的汽車跳蚤（SF2A）。特定過程的開發確實是針對與汽車相關的處理器等關鍵芯片設計的義務。如果您可以忍受碰撞智能手機應用程序，則以130 km/h的速度發射的車輛無法忍受這種錯誤。而且，如果程序必須是混凝土，則跳蚤結構也是如此。
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您在這裡註意到三星的命名法不包括納米的任何提及，就像TSMC和Intel已經一樣。這是有充分理由的：納米不再是晶體管測量的正確單位，因為該值僅代表冰山的山頂 - 實際上刻在2 nm中的芯片的一部分大大降低了。
SF1.4在2027年，掌握Gaafet作為資產？
同時，三星旨在將汽車跳蚤雕刻在2 nm（對不起，在SF2A中）韓國人承諾介紹1.4 nm中的通才雕刻稱為SF1.4，我們已經告訴過您。雕刻似乎是記錄的，英特爾已經談到了其英特爾18A過程（18Angströms或1.8 nm）。在此路線圖中，從3 nm到1.4 nm開始，三星尤其是在技術上具有優勢：其晶體管的結構。韓國人確實是第一個實施新的空間構象的晶體管，稱為“圍繞現場效應晶體管”或GAFET的晶體管。帶有包含整個電路的門（門），未來的這種格式有望更好地控制電路中的電流。
這種結構由IMEC比利時研究所（IMEC）的理論化，這是一個真正的半導體神廟，其中所有大型公司參與其中，不僅將由TSMC，而且還將由Intel（稱為RibbonFet）使用。但是，通過在競爭對手面前整合這項技術，三星希望在改進過程之前。確實，這種結構將需要時間才能完全掌握，因為它恰恰是在晶體管上（而不是在SRAM上），因此可以達到最低雕刻的雕刻。
我們可以與英特爾平行地繪製一個平行的，該英特爾是第一個集成了FinFet晶體管的人，並且能夠創造奇蹟直到10 nm。因此，在該節點中，英特爾利用了大於7 nm的TSMC的密度。但是，對於英特爾來說，不幸的是，能源效率較低，產量較低。
因此，三星具有積極的路線圖。 TSMC也是如此，該TSMC正在以2 nm的形式建造其生產鏈。或旨在從2025年開始恢復自己的王冠的英特爾。越來越少的演員越來越難。但是她同樣兇猛。
來源 ： Anandtech
