為了交付首款採用 GAAFET 技術的 3nm 晶片，三星在其韓國工廠舉辦了一場儀式，政治家、公司高管和合作夥伴公司齊聚一堂。從表面上看，這種盛況是有道理的：三星電子是第一個提供如此精細（台積電僅提供 4 奈米）和現代商用處理器的公司，從而創造了工業歷史。
在鰭式場效電晶體（行話為 FinFET）主導十年之後，半導體世界正在以一種新結構迎來新的轉折：全柵場效電晶體或 GAAFET（MBCFET，用於多橋通道場效電晶體三星的專有名稱）。這個完全「包圍」電晶體的「門」確實為我們晶片的未來提供了一個非常重要的改進領域。處理器設計人員將能夠更精細地處理電壓（更多等級）、提高頻率並降低能耗。
提供在製造和晶體管設計兩個方面領先的晶片似乎可以保證三星擁有顯著的優勢，特別是在面對正在開發相同技術的台積電和英特爾時。不 ？不。因為如果在半導體領域遲到可能會帶來災難性的後果，那麼早一點也不可取。最重要的是，三星有一個相當殘酷的先例：EUV 雕刻。
三星率先採用 EUV，很快就被台積電超越
2020 年 12 月，高通宣布其當時的旗艦處理器驍龍 888 的代工將從台積電轉為三星。這兩款晶片無疑是高效的，但其與高階 Android 終端的整合卻因過熱問題而受到損害。設計問題？如果這個問題是在 Snapdragon 888 歷史之初就出現的，那麼最近的一款晶片已經澄清了這一點：Snapdragon 8+ Gen 1。
小“+”通常意味著小的生產優化，可以提供幾個百分比的性能提升。但今年的「+」版本有重大修改，從三星4奈米4LPE蝕刻轉移到台積電4奈米（4N製程）。恆定尺寸（4 nm）的代工廠變化聽起來對三星來說就像是一場冷水浴：與“普通”Snapdragon 8 Gen 1 相比，“+”版本通過更少的加熱和消耗而效率更高（有時超過10%！）更少的能量。
然而，從表面上看，三星擁有技術領先的優勢，因為三星在 2018 年 4 月自豪地宣布，它是第一個交付首款採用極紫外線 (EUV) 雕刻的商用晶片的公司。正是這項技術使製造商能夠克服 7 奈米的“障礙”，這是第一級雕刻技術，EUV 已被證明是避免過高廢品率所必需的。超過7奈米，EUV甚至是絕對強制的，以繼續縮小電路尺寸。
儘管三星是第一個商業部署 EUV 的公司，但在全球採用該技術的尖端晶片生產中，台積電佔據了最大份額：這些晶片 90% 由台灣生產，只有 10% 來自三星。如高通 Snapdragon 8(+) Gen 1 的例子所示，採用同等製程的台積電具有決定性的技術優勢…
這是否意味著三星這次不會乘勝追擊呢？很難說。我們必須等待台積電和英特爾的實施，他們也在投資相同的技術，看看這三個巨頭中誰對這兩種工藝的掌握最好。
來源 ： 韓國先驅報
