高通公司正式公布了其新的Snapdragon 835处理器，建立在三星的10NM流程上，不仅可以提高性能，还可以减少为设备充电所需的时间。
适用于移动设备的下一代SOC是高通公司广泛的200多种设计阵容中的最新，最出色的SOC，并遵循强大的Snapdragon 820和821处理器，为最新的Android旗舰提供了动力。
三星理工学院的高通Snapdragon 835
使Snapdragon 835真正与众不同的原因是它基于三星的10nm Finfet技术，这是半导体处理技术的前所未有的。
目前许多制造半导体的OEM依靠14NM技术，这已经令人印象深刻，但是10NM技术通过以分子级尺寸的分数进行连接来将其提升到一个新的水平。反过来，这应该大大提高性能，同时大大降低功耗。
通过与三星长达十年的合作，高通将利用10NM技术并大大改善其SOC，从Snapdragon 835开始。
“我们很高兴继续与三星合作开发领导移动行业的产品，”说Keith Kressin，产品管理高级技术中士。 “使用新的10NM流程节点有望允许我们的高级Snapdragon 835处理器提供更大的功率效率并提高性能，同时还可以添加许多新功能，以改善明天的移动设备的用户体验。”
Snapdragon 835如何更好？
据高通公司称，新的Snapdragon 835的面积效率提高了30％，性能提高了27％，同时将功耗降低了40％。高通公司没有指定其用于比较的理由，但可能与Snapdragon 820系列相比。
快速充电4
除了提高效率和性能外，Snapdragon 835还摇滚高通公司的最新Quick Charge 4技术，据称与Quick Charge 3相比，充电时间更快20％。这应该可以转化为超级快速充电时间，最多5小时的电池寿命，仅需5分钟的充电。
高通以2,750 mAh的电池基于内部测试，这几乎是当前市场上可用的高级智能手机的平均值。
但是，在电池耐力方面，Snapdragon 835票价如何与效率，性能和充电一样重要，还有待观察。快速充电4完全符合USB Type-C和USB-PD。高通以前有一些问题快速充电3 USB Type-C兼容性。
可用性
最后，Snapdragon 835带有快速充电4和三星的10NM流程将在明年上半年上市，可能会乘坐高级旗舰产品，例如即将到来的三星Galaxy S8。考虑到这一点，我们可能会在CES 2017上获得预览。
