三星已经开始大规模生产其新的系统芯片，并使用10纳米技术生产半导体，并声称这是第一个开发的纳米技术。
三星电子副总裁Jong Shik Yoon说：“该行业首次批量生产10NM FinFET技术证明了我们在高级流程技术方面的领导能力。”
10NM过程涉及高级3D晶体管结构，以及与14NM工艺相比，设计支持和工艺技术的改进。智能手机行业的性能可以提高27％，功耗下降了40％，如报告通过商业电线。
正如公司声明所写的那样，新设备将使用新芯片。它没有指定将使用哪种设备使用10nm芯片，但该设备将于明年年初推出。未命名的设备很有可能是星系S7之后的三星的下一个旗舰设备，称为Galaxy S8。 “明年年初”的时间戳进一步证明了这一点，因为三星在上半年发布了其“ S”阵容，下半年的“ Note”阵容。但是，在注释7的继任者上没有任何消息。
有传言说，三星Galaxy 8具有4K显示屏，并支持虚拟现实，并且一个处理器非常牢固地了解了移动VR技术的功率要求。它是据称将Exynos 8895处理器包装在ARM的GPU上，将ARM的新马里G71包装。
Arm的网站列表说：“ Mali-G71 GPU是明确开发的，目的是满足新行业进步的需求，例如Khronos的Vulkan跨平台图形API，以及对流动VR的流动VR体验的不断增长的需求。”暗示了Galaxy S8的传闻中有4K VR的展示。
以前的技术时间报告三星将专门制造高通公司的Snapdragon 830处理器，这是Snapdragon 820的继任者。三星与高通公司处于良好的工作关系；它仍然生产到今天的820。据报道，830将使用10nm技术生产。
如果谣言是真的，三星是在美国运输带有Snapdragon 830的Galaxy S8单元，而Galaxy S8单元的Exynos 8895将运送到世界其他地区，该公司采用了Galaxy S7和S7 Edge设备实施了类似的策略。
如前所述，三星的10NM SOC技术将于明年年初推出，并将在整个2017年进入更多设备。
三星芯片业务是一种由于Galaxy Note 7设备的停止而弥补其巨额利润损失的一种方式，该设备的生产停止了其危及生命的设计缺陷，遭受了关键，商业甚至法律的反弹，从而导致设备出乎意料地爆炸。不用说，Galaxy S8如果三星学到了教训，则不会继承与Note 7的相同问题。
