据报道，领先的移动芯片制造商高通与原始设备制造商（OEM）三星合作，为即将推出的旗舰芯片组Snapdragon 820合作。
该公司正在利用三星的14 nm生产技术，以避免Snapdragon 810处理器中遇到的热管理问题，并减少芯片组的功耗。高通公司的救星三星使用了14nm FinFET（Fin型田间效应晶体管）制造技术，其非常有效的芯片组Exynos 7420恰好在Samsung Galaxy S6的引擎盖下。
早在2015年1月，报道就开始浮出水面，高通公司的下一个旗舰筹码Snapdragon 810的问题过热，导致三星对芯片组在当时已发布的旗舰Galaxy S6上的使用。借助三星的14nm FinFET流程，消息人士认为，Snapdragon 820不会存在温度问题或在时钟固定下，从而阻止Snapdragon 810驱动的智能手机实现其全部潜力。
据报道，高通的Snapdragon 820特征该公司自己的64-Kyro体系结构，其时期为3.0 GHz，但仍未处于超频模式。小米，HTC和Sony等移动设备制造商以及使用高通公司的芯片组的其他制造商将是第一个接收新处理器最初批次的人，因此他们可以将其结合到即将到来的旗舰智能手机中。
如果制造商没有撞在将新芯片实施到下一代产品中的同时，消费者可能能够在今年下半年或2016年初购买Snapdragon 820驱动设备。
根据一些人报告，小米的下一个旗舰智能手机小米Mi 5将配备Snapdragon 820，并配有自定义ARMV8 CPU。与4 GB RAM配对，小米Mi 5将以16 GB和64 GB型号提供。据报道，它将使用高通公司的超声指纹身份验证系统，并配备16百万像素后置摄像头和八百万像素的前射手射击游戏以及USB Type-C充电端口。该公司定于今年11月推出小米Mi 5。
照片：卡尔·达姆布兰（Karl Dambran）Flickr
