踏着脚步走着牛津大学的科学家们IBM 研究人员可能已经开辟了通向通用存储器的道路，它将结合 DRAM（易失性但速度快）和闪存（速度较慢但非易失性）的优点，而不会遇到这两种技术今天遇到的密度问题。事实上，它们的雕刻精度（< 30 nm）变得非常小，以至于开始对存储质量产生影响。
IBM 的解决方案是基于硫族化物玻璃的相变存储器，它与用于在可重写 CD/DVD 上存储数据的数据大致相同。事实上，这种材料有一个非常有趣的特性：它会根据温度改变结构。经受超过 600°C 的热峰后，玻璃熔化并变成非晶态。如果将其在 400-500°C 下加热一段时间并使其冷却得慢一点，它就会变成结晶。
这两种状态的物理特性不仅在光学层面不同（因此它们在 DC/DVD 中的使用），而且在电学层面也不同：玻璃越非晶态，其电阻就越大。此外，这些状态随着时间的推移或多或少是稳定的，因此可以创建非易失性存储器。
每个单元三位
研究人员对硫系玻璃进行实验已经有一段时间了。 IBM的主要进步是成功地稳定地创建了对应于8个电压电平的8个不同状态。因此，与之前的一或两个位相比，这使得每个存储单元可以编码 3 位。 IBM 通过创建实验芯片展示了这种存储器的技术可行性。 “这是重要的一步，因为这种密度使 PCM 的成本远低于 DRAM，接近闪存，”该研究的合著者 Haris Pozidis 博士在一份报告中解释道。公报。
另一个优点是：这种内存可以保存数据至少 10 天，并支持超过一百万个读/写周期。相比之下，闪存能够存储数据大约十年（理论上），但仅支持几千个读/写周期。
从速度上来说，PCM存储器位于Flash和DRAM之间。因此，用例将是多个的。“智能手机的操作系统可以存储在 PCM 上，从而使设备能够在几秒钟内启动。在企业中，整个数据库可以存储在 PCM 上，以便为在线应用程序（例如金融交易）提供高速数据处理。，强调了 IBM 在公报。
