智能手机、Chromebook、虚拟或增强现实耳机，甚至智能汽车解决方案，所有这些都将很快升级。原因是什么？ JEDEC 正式确定了与 UFS 3.0 标准相关的新特性，涉及确保所有这些设备上的存储（称为 NAND）的组件。让我们记住，JEDEC是一个汇集了许多高科技参与者的联盟，负责建立和验证大量电子元件的理论技术标准。
2.1之后有3个
作为序言，这里对现有的不同 NAND 闪存模块进行了非常简短的分类。 eMMC 体现了入门级的特点，具有所谓的交替读/写系统（“半双工”）。 UFS 据说是“全双工”，也就是说它可以同时读取和写入来自给定控制器的数据。
2016年，三星推出了首款基于UFS模块的存储卡从远处看类似于 microSD，已经准备好了，但没有宣布可能的发布日期。
该制造商已经在当时的高端智能手机中使用了 UFS 模块，银河S6等S6边缘，保证储存。
此外，去年年底，三星（还是他）宣布已开始生产首批符合 eUFS 标准的 512 GB 模块（嵌入式通用闪存），其中一些可以嵌入到下一代智能手机中（例如 Galaxy S9？）。
如果UFS 2.1标准模块尚未被业界大规模采用且其潜力尚未充分发挥，那么JEDEC已经在考虑明天了。并宣布UFS 3.0及其衍生标准（UFSHCI 3.0和UFSCE）将能够实现高达2.9 Gb/s（或两条线路上23.2 Gb/s）的理论传输速度，或者是2.1理论速度的两倍！
录制速度非常快，例如，以每秒 60 帧（或更高）的速度录制 4K 视频序列，而智能手机在几秒钟后不会给人留下挣扎的印象。
当然，要操作这些 UFS 3.0 模块，整个技术平台需要协调一致，从而能够处理如此大量的数据。
在消耗方面，JEDEC 宣布这些组件仅需要 2.5 伏即可运行，而当前型号需要 2.7 至 3.6 伏。更好的是，它们可以用于放置在可以达到相当高温度的设备中的设备，例如汽车中。
未来 Galaxy S10 采用 UFS 3.0 NAND？
我们何时会看到配备此类 NAND 芯片的设备上市？可能不是马上。然而，可以肯定的是，三星将成为第一批在其智能手机中生产和使用它们的公司之一。这家韩国巨头有充分理由成为全球最大的 NAND 存储模块生产商。最后，最近的这些公告涉及GDDR6显存等日期 HBM 2.0确认后者无意让竞争对手追上他。
资料来源：
三星,三星 (2),联合电子设备工程委员会
