新一代存储器MRAM继续在高科技的道路上徘徊。自 20 世纪 90 年代开始开发的这种类型的磁性非易失性存储器（能够存储简短的数据）在英特尔和三星在 64 世纪之际的推动下，重新成为人们关注的焦点。th沙龙国际电子器件会议。
旧的新埃尔多拉多
这两家半导体巨头声称能够生产磁性随机存取存储器模块，具有使用寿命（超过10年）、耐高热（超过200°C，非常适合服务器或嵌入式设备）和读/写能力。写入速度远高于当前 DRAM 或 NAND（用于 SSD）组件。如果英特尔和三星在这次新的沟通中没有具体说明，那么每个模块的先进理论流速大约比当前 NAND 模块高出一千倍。反正 ！
英特尔正在讨论能够以 22 nm FFL 制造 STT（自旋转移扭矩）模块（FinFET 低功耗）而在三星，我们正在讨论在 FDSOI（全耗尽绝缘体上硅）中以 28 nm 工艺雕刻的组件。
两个品牌都没有具体说明何时可以开始大规模生产，但有一些消息来源提到EETimes网站– 声称英特尔 MRAM 已少量存在于可用解决方案中，但未具体说明是哪些解决方案。毫无疑问，产品会被发送给测试人员或制造商进行评估或进行比较，甚至设计原型。就三星而言，多次提到在过去两年的贸易展览或论坛上，大规模生产可能会在 2019 年至 2020 年之间开始。
据专家称，连接对象（物联网或物联网）领域将首先对这种类型的存储器感兴趣，因为它可以安装在其他电路（SoC等）上，并且具有诱人的理论能量。
从电到磁
在 MRAM 上，信息不是模块中的电荷，而是磁性方向，适当的读者知道如何解释并转换为数据形式。由于状态变化过程中不涉及电子运动，MRAM 理论上是不可穿戴的，并且消耗的电量更少，因为它不会受到与粒子运动相关的能量损失。
因此，MRAM 将成为当前内存解决方案的良好替代方案，因为该领域的进步空间仍然很大。此外，产生有帮助的技术进步的成本越来越低，而当前模块的情况并非如此！与当前存储器完全相反，当前存储器的小型化在时间和金钱方面变得越来越乏味且昂贵。
然而，MRAM 的大规模到来还没有到来。毫无疑问，它需要很长时间才能在条带以及我们的计算机、智能手机等的存储解决方案中建立起来。
2013年，该领域超过20家日本和美国巨头围绕MRAM组建了联盟，以加强该领域的研究并开始确保在2018年之前实现生产。宣布的最后期限（几乎）得到遵守。
