我们往往在最困难的条件下才最具创造力：脸以降低难度塞斯雕刻工艺方面，英特尔陷入了僵局。 尽管台积电三星的芯片采用 7 纳米工艺，英特尔已经落后，仍停留在 14 纳米工艺上。 但除了工艺的改进（标记为 14 nm ++！）以及宣布即将过渡到 7 nm - 2019 年期间？ – 英特尔并没有袖手旁观今天宣布其“Foveros”技术。
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这个名称隐藏了制造“SoC”类型芯片（片上系统）的过程，其工作原理有点像（极好的）乐高。 金代替设计一个包含所有逻辑芯片（CPU、图形处理器,记忆， ETC。）但它不是很灵活，设计和生产复杂，英特尔Foveros可以单独生产物品。 这样做有几个优点：每个元件都可以用最合适的雕刻技术来生产，芯片是模块化的，可以轻松适应其他需求等。 但有一个重要的限制，即组件的大小，英特尔和其他公司目前只组装了二维逻辑电路。制造最终芯片的各种组件笨重，就像英特尔那样提出 非盟国际消费电子展2018年其中包括一个CPU、一个显卡AMD和 HBM 内存。
技术福维罗斯允许您通过以 3D 形式组装不同的电路（即将电路堆叠在另一个电路的顶部）来克服这一限制。 通过使用“中介层» 甚至通过开发有源电路（中央处理器）能够作为其他电路（内存等）的支持，英特尔将能够制造芯片“三明治”其中会更多容易的只发展片上系统全部集成，更丰富成分并且尺寸相同。 足以让英特尔重返小型化竞赛，尽管它在 14 nm 上受阻？
很难预测，但如果技术持有塞斯技术承诺（能耗、性能）、流程福维罗斯可以在经济上有利于英特尔，优雅制造成本低于经典 SoC，以获得更大的设计灵活性。
