东京大学发表的一篇文章会改变我们的电子设备的面貌吗？除非您有一台时间旅行机器并查看十年来发生的事情，否则很难说。但是可以肯定的是：该出版物可以使那些一直在等待超快速发展的人持续了四十年。
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MRAM或磁随机访问记忆从纸上看，是广义上的记忆。相反：其访问速度是纳秒阶，其编写速度（单元格的变化）是Picsecond的，它在不使用时根本不会消耗能量，并且一旦关闭设备就可以保留信息。基本上，她将RAM（RAM）和ROM的力量结合在一起。它是美丽的，完美的，可以解决许多问题，尤其是在超级堆积者中，而且……它仍然没有在群众中进行工业化。
MRAM的资产：
- 它是非静电（例如我们的硬盘驱动器或SSD）
- 它的速度比DRAM或Flash快1000倍，
- 在能够编写其他数据之前，没有必要删除先前存储的数据
- 它消耗的能量很少
- 她在理论上是不可用的
正如其名称的第一个“ M”所暗示的那样，MRAM基于磁性原理。他说，作为回报，“磁场”，为研究人员和工程师带来问题。特别是不可能在空间中随机存储磁细胞。这迫使单元格（复杂且昂贵）的对齐，从而产生一个减慢阅读速度的磁场。从事它的研究人员有很多技巧，但是他们通常包括玩接近绝对零的温度...基本上：暂时，MRAM效果很好，但尚未准备好用于我们的电子设备的大规模生产。最后是之前。
降低电阻并在室温下工作
东京大学的研究人员在1月18日发表的文章中必须取得成功出版自然在非常性感的标题下反铁磁隧道连接处的八杆驱动磁场»，似乎在开发更有效且易于使用的MRAM方面占据了许多科学障碍。 Digéré并使我们的同事从ScienceDaily获得了更易读（恩典返回给他们：普遍的科学，很难！），本文显示了这些研究人员的两个关键成功。
Primo，他们设计了一个全新的抗磁性组件。与由于在室温下占据的磁性顺序而产生场的铁磁磁铁不同，该磁铁不会产生此场。您将在这里理解，他的缺席避免了写作和阅读信息的放缓。这使研究人员能够保证细胞的速度变化，Terrahertz的阶。就是说10顺序-12每秒时间。是的，它可能很快！
其次，该抗铁磁成分在环境温度下起作用。无需来并冷却到极端以寻求材料的量子特性。这使MRAM更接近我们的现实世界。
其他障碍包括工业化
您是否认为弥撒说，您的时间在2033年会向您展示配备MRAM的机器？平息您的热情，甚至从事工作的研究人员也不存在。作为实验室研究人员在特定的科学点上取得了成功。根据此原则运行的非常密集的MRAM模块所需的发展之和仍然是巨大的。
在接受ScienceDaily的采访中，东京大学物理系的Satoru Nakatsuji教授解释说，产生的抗铁磁磁铁的方式远非微不足道：”我们使用分子喷射和磁控喷雾剂称为外延的两个过程，在令人难以置信的细层中培养真空晶体。 […]这是一个非常困难的程序，如果我们改进它，它将使我们的生活更轻松，还可以使我们能够生产更有效的设备。您会明白的是，这是科学时代离开峰值实验室的。
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通过承认这一过程正在改善，即使研究人员最终将获得MRAM的复杂记忆模块，重大挑战将置于这项技术的道路上：工业化。要获得从实验室到小型生产的技术，进行其余的研究，即防御空间，这要迈出一步很大的一步。但是，您通常需要一个巨大的步骤才能进入批量生产的大小。唯一允许技术真正起飞的杠杆。显而易见的是背光图像传感器。如果在实验室中生产了许多传感器，尤其是对于成像卫星的太空传感器，直到索尼构想工业制造工艺Exmor r才开始看到这些超灵敏的光传感器到来。首先是紧凑型，然后在智能手机中。
如果研究人员设法利用了这个日本单位的发现，即一个主要的砖块 - 甚至基础？ - 今天刚刚出现。整个行业都对这项研究的结果非常关注：韩国巨人三星也在押注。必须说，MRAM记忆的承诺是巨大的。并应对当今记忆的挑战。特别是在超级计算机中，处理器的速度（CPU，GPU等）的进步速度快得多。
编辑01/20/2023：本文的初始版本提到了“毫秒级”单元格的访问时间。这显然是一个错误：MRAM的访问时间是纳秒阶的订单和PicoSeconde顺序的状态（写作）。
来源 ： Sciencedaily
