这位美国设计师透露了有关 Snapdragon 820 后继产品的一些细节。这款芯片名为 Snapdragon 835，将推出新的 Quick Charge 4 快速充电系统，并将在三星工厂生产。 2017年的许多高端智能手机中都应该可以找到它。
充电 5 分钟即可额外使用 5 小时。这是Snapdragon 835的第一个官方功能。得益于新的Quick Charge 4快速充电系统，这也有望在短短15分钟内为使用该系统的智能手机充电一半的电量；即与当前的 Quick Charge 3 相比，速度提高了 20%。高通下一代超级巨星SoC（片上系统）的其余功能将于2017年1月3日在拉斯维加斯举行的CES上正式揭晓。
正是在目前于纽约举行的年度技术峰会上，高通正式确定了将接替 Snapdragon 820 的芯片的名称。该系统可能会配备将于 2019 年发布的下一代高端智能手机型号。 2017 年，从备受期待的 Galaxy S8 美国版开始。
三星将负责10nm雕刻
三星还通过韩国品牌处理器实体副总裁 Ben Sur 邀请自己参加高通纽约舞台上的聚会。他确认三星将在其工厂生产新的Snapdragon 835，采用10纳米雕刻——Snapdragon 820使用14纳米雕刻。
然而，这一公告并没有什么令人惊讶的。三星已经负责制造前几代高通 SoC。去年10月，该公司宣布即将开始量产10纳米芯片。该技术将把 SoC 的尺寸缩小 30%（释放智能手机内的空间），将性能提高 27%，同时能耗减少 40%。
我们对这个新的参考平台寄予厚望，它必须具体证明性能的提高和电力消耗的减少。 Snapdragon 835 还应该专为虚拟和增强现实用途而设计。去年九月在柏林举行的 IFA 展会上，高通确实推出了首款同类耳机，确认其希望成为这个蓬勃发展的行业的重要参与者。
