三星正式宣布，它開始大量生產第一個4 GB DRAM軟件包，該軟件包使用了基於第二代高帶寬內存（HBM2）接口的最新帶寬。
根據OEM的說法，HBM2給出了多達256 Gbps的帶寬，比以前的HBM1模塊的大小兩倍多。韓國製造商的目標是通過新的DRAM包裝來提高其在企業和遊戲行業的業務。可能的用途包括但不限於並行計算中涉及的機器學習需求，網絡系統，服務器和PC。
根據公司的新聞稿，新的內存利用了專有的20納米過程和高級芯片設計，實際上將DRAM的數據傳輸速度乘以7倍。
為了達到這種令人嘆為觀止的速度，三星將4 GB HMB2包裝堆放在四個8 gigabit核心模具上，坐在緩衝區上。
該軟件包是使用DRAM（TSV DRAM）技術通過矽組裝的。這意味著，每個芯片在模塊中都只有幾十微米的長度，並且它使用的電極通過數百個孔垂直與其他孔連接。與使用電線粘結連接的常規存儲芯片相比，該定位可以顯著改善信號傳輸。
到目前為止，這家總部位於首爾的公司生產了4 GB HBM2 DRAM，它將在今年第二部分投影8 GB HBM2 RAM製造。
遊戲愛好者應該知道，DRAM軟件包應該使圖形卡節省其圖形卡上的“ 95％”空間，同時保留高效率和低功耗。
這僅意味著NVIDIA和AMD將能夠使用三星的存儲芯片來增強其潛力，同時還可以創建更苗條和更瘦的遊戲系統。
三星電子高級副總裁銷售市場塞恩·春（Sewon Chun）談到了新聞稿中的新方向。
塞恩說：“通過大規模生產下一代HBM2 DRAM，我們可以為全球IT公司快速採用下一代HPC系統做出更多貢獻。”
他繼續補充說，通過使用公司的3D內存技術，三星滿足了全球IT市場的多方面多面需求。根據塞頓的說法，HBM DRAM將為DRAM市場的未來增長樹立曲調，這有很大的希望。
提醒您，三星也宣布早在2015年11月，它就為企業客戶開始了128 GB DDR4 TSV RAM的數量生產。
