模擬半導體解決方案領先的鑄造廠（INSDAQ：TSEM）的英特爾鑄造廠服務（IFS）和Tower Semiconductor（NASDAQ：TSEM）今天宣布了一項協議，Intel將提供鑄造式服務和300毫米的製造能力，以幫助塔樓在全球範圍內為客戶提供服務。根據協議，塔將利用英特爾在新墨西哥州的高級製造工廠。塔將投資高達3億美元，以獲取和自己的設備以及其他固定資產將安裝在新墨西哥州的工廠中，為Tower的未來增長提供了一個新的容量走廊，每月超過600,000張照片層，可支持預測客戶對300mm Advanced Advanced Antarkog Processing的預測需求。
該協議表明，英特爾和塔樓都承諾通過無與倫比的解決方案和縮放能力擴展其各自的鑄造足跡。英特爾將在新墨西哥州里約熱內盧的英特爾的Fab 11X上製造塔樓高度差異化的65納米電源管理BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）流量。
英特爾高級副總裁兼英特爾鑄造服務公司總經理斯圖爾特·潘恩（Stuart Pann）表示：“我們啟動了英特爾鑄造廠服務，他們長期觀察到提供世界上第一個開放式系統鑄造廠，將安全，可持續性且富有彈性的供應鏈匯集在一起，並擁有英特爾和我們的生態系統。
Tower CEO Russell Ellwanger said, "We are excited to continue working with Intel. As we look to the future, our primary focus is to expand our customer partnerships through high-scale manufacturing of leading-edge technology solutions. This collaboration with Intel allows us to fulfill our customers' demand roadmaps, with a particular focus on advanced power management and radio frequency silicon on insulator (RF SOI) solutions, with full process flow qualification planned in 2024. We see this作為與英特爾多種獨特的協同解決方案邁出的第一步。”
該協議顯示了IFS如何使英特爾全球工廠網絡的製造能力走廊訪問，包括在美國，歐洲，以色列和亞洲。除了在俄勒岡州的現有投資以及計劃在俄亥俄州的投資外，英特爾還在美國西南地區進行投資和創新已有40多年的歷史，並在亞利桑那州和新墨西哥州擁有網站。英特爾此前宣布了35億美元的投資，用於擴大新墨西哥州的運營，並為其創新樞紐之一的Rio Rancho校園配備，用於製造高級半導體包裝。
對於Tower來說，這是其擴大規模之路的下一步，它為300mm技術的客戶群提供了不斷擴大的客戶群，該技術由強勁的市場領先的65nm BCD Power和RF SOI Technologies提供。具體而言，Tower的65nm BCD技術通過其一流的RDSON功績為客戶提供了提高功率效率，模具大小和模具成本。同樣，Tower的65nm RF SOI技術可以幫助客戶減少手機電池的消耗，同時通過其一流的Roncoff功績來改善無線連接。該協議所產生的規模的提高將使塔不僅能夠通過現有技術提供更大的機會，而且還可以與行業領先的客戶建立夥伴關係，這將有助於建立強大的下一代技術路線圖。
IFS是英特爾IDM 2.0策略的重要支柱，今天的公告代表了英特爾的多年轉型又向前邁進，以恢復和加強技術領導力，製造規模和長期增長。 IFS在過去一年中取得了重大進步概念會開發知識產權組合在英特爾3和英特爾18A過程節點上。英特爾也被授予美國國防部快速保證的微電子原型 - 商業（RAMP -C）計劃，在Intel 18A上有五個Ramp-C客戶的設計參與。
前瞻性語句
該版本包含涉及多種風險和不確定性的前瞻性陳述。這些陳述包括有關英特爾的業務計劃和戰略的陳述，以及從其中預期的福利，包括關於其外部鑄造野心，內部鑄造模型，IDM 2.0策略，製造能力擴展計劃，IP投資組合擴展以及與Tower和其他客戶的協議。這樣的陳述涉及許多風險和不確定性，這些風險和不確定性可能導致英特爾的實際結果與明示或暗示的結果有實質性差異，包括：英特爾產品需求的變化；英特爾未能實現其戰略，計劃和擬議交易的預期收益；半導體行業的高競爭和技術變化；在研發和英特爾的業務，產品，技術和製造能力方面進行的大量前期投資；半導體製造運營的複雜性和固定成本性質；由於商業，經濟或其他因素，計劃延遲或計劃變化；資本需求的增加和資本投資計劃的變化；與英特爾計劃的資本投資有關的預期政府激勵措施和相關批准的不利變化；易受新產品開發和與製造有關的風險的脆弱性，包括產品缺陷或勘誤，尤其是當英特爾開發下一代產品並實施下一代過程技術時；與高度複雜的全球供應鏈相關的風險，包括來自中斷，延遲，貿易緊張局勢或短缺；與銷售有關的風險，包括客戶集中以及使用分銷商和其他第三方的使用；英特爾產品中的潛在安全漏洞；網絡安全和隱私風險；投資和交易風險；與訴訟和監管程序有關的IP風險和風險；在許多司法管轄區中不斷發展監管和法律要求；地緣政治和國際貿易條件；英特爾的債務義務；大規模全球行動的風險；宏觀經濟條件； COVID-19或類似此類大流行的影響；以及日期為2023年7月27日的英特爾收益發布中所述的其他風險和不確定性，有關表格10-K的年度報告以及向美國證券交易委員會（SEC）提交的其他文件。本新聞稿中的所有信息都反映了本文日期截至本期的觀點，除非指定了較早的日期。英特爾不承擔更新此類陳述的任何義務，無論是由於新信息，新發展還是其他方式，除非法律要求披露，否則不承擔任何責任。
關於塔半導體
高價值模擬半導體解決方案的領先鑄造廠（NASDAQ：TSEM，Tase：TSEM）Tower Semiconductor Ltd.（TSEM：TSEM，Tase：TSEM）為消費者，工業，自動化，移動，移動，基礎設施，醫療，醫療和空間和辯護提供了綜合市場的技術和製造平台。 Tower半導體的重點是通過長期合作夥伴關係以及其先進和創新的模擬技術產品對世界產生積極和可持續的影響，包括廣泛的可定製過程平台，例如SIGE，BICMOS，BICMOS，BICMOS，混合信號/CMOS，RF CMOS，RF CMOS，RF CMOS，CMOS IMAGE SENSOR，CMOS IMAGE SENSOR，CMOS IMBIVER，非象徵性傳感器，集成傳感器，集成的功率管理（BCD和700 V），BCD和700。 Tower半導體還為IDMS和Fabless公司提供了快速準確的設計週期以及包括開發，轉移和優化在內的過程轉移服務，包括世界一流的設計支持。為了為客戶提供多型式採購和擴展能力，Tower半導體在以色列擁有兩個製造設施（150mm和200mm），兩個在美國（200mm）（200mm）（200mm）（200mm和300mm）通過其在TPSCO中的51％持有，在TPSCO中擁有51％的持股，並共享300毫米製造設施，並共享It Itsalics通過STMICROR STMICROR STMICROR STMICROR STMICROR STMICRORECTROR來建立。有關更多信息，請訪問www.towersemi.com。
關於前瞻性陳述的安全港
該新聞稿包括前瞻性陳述，這些陳述符合風險和不確定性。實際結果可能與此類前瞻性陳述所預期的結果有所不同。對可能影響本新聞稿中包含的前瞻性陳述的準確性的風險和不確定性的完整討論包括在Tower上的“風險因素”標題“風險因素”中，以及與證券交易委員會（SEC和ISRAEL SECURITIES委員會提交的表格20-F和6-K）和以色列證券授權一樣。 Tower無意進行更新，並明確否認更新的義務，即本版本中包含的信息。
