雖然尚未完全啟動7 nm中刻有芯片的生產，並且在5 nm中的開發幾乎無法最終確定，但三星已經發布了其3 nm流程的第一個技術文檔！如果該公告與TSMC競爭對手一起參加了一場人物戰爭和溝通，那麼3 nm的過程很有趣，因為它標誌著處理器的小型化智能手機和計算機的小型化措施。
結構性變化
如果在7 nm處雕刻的精緻通過意味著波長的變化 - 現在是通過極端紫外線輻射（EUVL）進行的，那麼電路設計的某些元素依靠舊一代磚（Finfet）。
三星目前在加利福尼亞州聖克拉拉舉行的三星鑄造論壇上，三星向其合作夥伴提交的3 nm進程將進入更高的階段。這家韓國創始人確實為晶體管的“大門”（門）提出了一種新的設計結構，這使得有可能充分汲取EUVL雕刻潛力的一部分。
十年來，加工商的晶體管提供了一個被稱為的FinFet結構（鰭場效應晶體管，Awillest田間效應晶體管），該設計對減少電路的大小有重大影響，但今天顯示出其限制。
三星的公告圍繞著一種新的“大門”概念，以納米 - 火（納米片）的形式進行，該概念允許頻道垂直堆疊，不再水平。此過程基於野蠻的名稱 - 大門全程- 可以通過幾種方式使用，並以三星版本，多橋通道FET或MBCFET（另一個野蠻的稱呼）稱為。
召喚三星製造技術不僅增加了密度 - 得益於3 nm的過程 - 而且與FinFET相比，MBCFET工藝還提供了更大的芯片自定義靈活性。
當完成提供有限的設置選擇時，MBCFET過程使以線性方式改變通道的寬度成為可能。感興趣的是能夠根據客戶的需求生產帶有小洋蔥的芯片：高性能跳蚤的更廣泛渠道，低消費跳蚤的更多寬渠道。
如果三星和可以呼籲其服務的公司（高通，Nvidia等）共同努力，以3 nm的速度推出生產，那麼第一個芯片的到來充其量是2021年……充其量是。
目前，三星僅提供了其產品設計套件的第一個版本 - 僅在0.1版本中！ - 與藝術和研究狀態相比，這是驗證的生產指南。
有必要等到三星在5 nm乘12到18個月開始生產，以取決於收益率，如果韓國創始人確實會設法持有3 nm宣布的時間表。但是，該公告使三星能夠恢復針對TSMC的心理領導力，以展示其專有技術……並將指甲推向Intel，以10-11 nm的限制。
來源 ： Anandtech
