忘记一个64 GB RAM棒。这都是关于现在的128 GB模块。
三星引入了第一个64 GB 3D TSV DDR4 DRAM一年后，已经开始在128 GB模块中的第一台TSV（通过硅VIA）DDR4（双重数据速率-4）的质量产量开始。超高容量模块旨在用于数据中心和企业服务器。
“我们很高兴高速，低功率128GB TSV DRAM模块的数量生产将使我们的全球IT客户和合作伙伴能够启动新一代的企业解决方案：”说三星电子的记忆销售和营销执行副总裁Joo Sun Choi。
128 GB TSV模块由144个DDR4芯片组成，该芯片结构为36 4 GB DRAM包装，每个包装包含四个基于20纳米的8 gigabit芯片。使用TSV技术组装，每个芯片在上述模块中都死于仅几十微米，并且使用经过数百个孔的电极垂直连接。与传统的模块相比，所得的模块可以通过电线粘结相互连接的堆叠堆叠堆叠。
通过拥有每个4 GB包嵌入数据缓冲区功能的主芯片，将进一步优化新模块，以实现功耗和性能。因此，将功耗降低约50％的128 GB DDR4存储模块可提供2400 Mbps的速度，这是去年64 GB负载减少DIMM（LRDIMMS）的两倍。
三星正在研究20纳米8 GB DRAM芯片的生产。该公司还将提供更高的性能模块，该模块扩展到3200 Mbps和2,667 Mbps。 HBM（高带宽内存）的应用也是一种可能性，以及消费者市场的适应性。
