3月25日，星期四，三星宣布现在正在开发一个名为DDR5的高速记忆模块。根据韩国公司的说法，这是它为高级计算铺平道路的第一个DRAM。
HKMG或High-K金属门工艺技术可能达到7,200Mbps的数据传输速度。此外，它现在比通常的DDR4快，它的速度比较旧的内存快两倍。
三星缩放通过DDR5进行高级计算
根据三星新闻编辑室，它的第一个DDR5内存依赖于最新技术在超级计算过程中有用。据说它具有512 GB的空间，并且具有适合人工智能（AI），高级计算，数据分析以及机器学习等系统的完整能力。
对于Young-Soo Sohn，三星电子公司的副总裁Young-Soo Sohn设法成为唯一一家专门生产与HKMG技术集成的令人印象深刻的半导体的公司。
尖端的逻辑过程已转变为侧重于发展内存的产品开发。 Sohn继续说，通过Dram Creation，三星只能为客户提供高质量的服务，同时也可以提供更有效的解决方案。
记忆将帮助需要超快速和高科技技术采用的计算机，例如用于自动驾驶，医学研究，金融和其他领域或其他领域的计算机。
对于英特尔的内存和IO技术总经理，Carolyn Duran，在处理需要保存，转移和利用的大量数据时，DDR5的采用是有益的。 DDR5过渡强调了数据中心和网络的需求，以使其配备更多此技术。
此外，英特尔副总裁补充说，该公司背后的工程团队已经决定与三星合作，以便他们可以使用未决的Xeon可扩展处理器。圣塔克拉拉季度的公司为即将到来的处理器提供了代号为“蓝宝石急流”。
为什么HKMG技术是半导体的游戏改变者？
在一份报告中ZDNET，三星选择HKMG技术主要是为了替代隔热时旧硅氧气。这家科技巨头表示，据说它的第一个DDR5的电流泄漏较小。由于硅提供的层较薄，因此三星想到了更好的解决方案来改善这一点。
当前的泄漏不仅在这里解决了，而且DDR5通过其无可挑剔的业绩超过了公司的期望。 HKMG现在使用的功率减少了13％，这使其与数据中心的使用更加兼容。
2018年，三星开始在其GDDR6内存中使用HKMG技术。那是该公司第一次将其用于其投资组合内存技术。该公司似乎正在探索DDR5的全部能力，因此它可以在其他公司中实现最佳的DRAM技术。
另外，三星的DDR5取决于通过（TSV）技术的透过硅。 DDR5的层中还包括16GB的DRAM芯片空间。该公司第一次使用TSV是在2014年，三星的内存能力只能达到256GB。
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由Joen Coronel撰写
