模拟半导体解决方案领先的铸造厂（INSDAQ：TSEM）的英特尔铸造厂服务（IFS）和Tower Semiconductor（NASDAQ：TSEM）今天宣布了一项协议，Intel将提供铸造式服务和300毫米的制造能力，以帮助塔楼在全球范围内为客户提供服务。根据协议，塔将利用英特尔在新墨西哥州的高级制造工厂。塔将投资高达3亿美元，以获取和自己的设备以及其他固定资产将安装在新墨西哥州的工厂中，为Tower的未来增长提供了一个新的容量走廊，每月超过600,000张照片层，可支持预测客户对300mm Advanced Advanced Antarkog Processing的预测需求。
该协议表明，英特尔和塔楼都承诺通过无与伦比的解决方案和缩放能力扩展其各自的铸造足迹。英特尔将在新墨西哥州里约热内卢的英特尔的Fab 11X上制造塔楼高度差异化的65纳米电源管理BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）流量。
英特尔高级副总裁兼英特尔铸造服务公司总经理斯图尔特·潘恩（Stuart Pann）表示：“我们启动了英特尔铸造厂服务，他们长期观察到提供世界上第一个开放式系统铸造厂，将安全，可持续性且富有弹性的供应链汇集在一起，并拥有英特尔和我们的生态系统。
Tower CEO Russell Ellwanger said, "We are excited to continue working with Intel. As we look to the future, our primary focus is to expand our customer partnerships through high-scale manufacturing of leading-edge technology solutions. This collaboration with Intel allows us to fulfill our customers' demand roadmaps, with a particular focus on advanced power management and radio frequency silicon on insulator (RF SOI) solutions, with full process flow qualification planned in 2024. We see this作为与英特尔多种独特的协同解决方案迈出的第一步。”
该协议显示了IFS如何使英特尔全球工厂网络的制造能力走廊访问，包括在美国，欧洲，以色列和亚洲。除了在俄勒冈州的现有投资以及计划在俄亥俄州的投资外，英特尔还在美国西南地区进行投资和创新已有40多年的历史，并在亚利桑那州和新墨西哥州拥有网站。英特尔此前宣布了35亿美元的投资，用于扩大新墨西哥州的运营，并为其创新枢纽之一的Rio Rancho校园配备，用于制造高级半导体包装。
对于Tower来说，这是其扩大规模之路的下一步，它为300mm技术的客户群提供了不断扩大的客户群，该技术由强劲的市场领先的65nm BCD Power和RF SOI Technologies提供。具体而言，Tower的65nm BCD技术通过其一流的RDSON功绩为客户提供了提高功率效率，模具大小和模具成本。同样，Tower的65nm RF SOI技术可以帮助客户减少手机电池的消耗，同时通过其一流的Roncoff功绩来改善无线连接。该协议所产生的规模的提高将使塔不仅能够通过现有技术提供更大的机会，而且还可以与行业领先的客户建立伙伴关系，这将有助于建立强大的下一代技术路线图。
IFS是英特尔IDM 2.0策略的重要支柱，今天的公告代表了英特尔的多年转型又向前迈进，以恢复和加强技术领导力，制造规模和长期增长。 IFS在过去一年中取得了重大进步概念会开发知识产权组合在英特尔3和英特尔18A过程节点上。英特尔也被授予美国国防部快速保证的微电子原型 - 商业（RAMP -C）计划，在Intel 18A上有五个Ramp-C客户的设计参与。
前瞻性语句
该版本包含涉及多种风险和不确定性的前瞻性陈述。这些陈述包括有关英特尔的业务计划和战略的陈述，以及从其中预期的福利，包括关于其外部铸造野心，内部铸造模型，IDM 2.0策略，制造能力扩展计划，IP投资组合扩展以及与Tower和其他客户的协议。这样的陈述涉及许多风险和不确定性，这些风险和不确定性可能导致英特尔的实际结果与明示或暗示的结果有实质性差异，包括：英特尔产品需求的变化；英特尔未能实现其战略，计划和拟议交易的预期收益；半导体行业的高竞争和技术变化；在研发和英特尔的业务，产品，技术和制造能力上进行的大量前期投资；半导体制造运营的复杂性和固定成本性质；由于商业，经济或其他因素，计划延迟或计划变化；资本需求的增加和资本投资计划的变化；与英特尔计划的资本投资有关的预期政府激励措施和相关批准的不利变化；易受新产品开发和与制造有关的风险的脆弱性，包括产品缺陷或勘误，尤其是当英特尔开发下一代产品并实施下一代过程技术时；与高度复杂的全球供应链相关的风险，包括来自中断，延迟，贸易紧张局势或短缺；与销售有关的风险，包括客户集中以及使用分销商和其他第三方的使用；英特尔产品中的潜在安全漏洞；网络安全和隐私风险；投资和交易风险；与诉讼和监管程序有关的IP风险和风险；在许多司法管辖区中不断发展监管和法律要求；地缘政治和国际贸易条件；英特尔的债务义务；大规模全球行动的风险；宏观经济条件； COVID-19或类似此类大流行的影响；以及日期为2023年7月27日的英特尔收益发布中所述的其他风险和不确定性，有关表格10-K的年度报告以及向美国证券交易委员会（SEC）提交的其他文件。本新闻稿中的所有信息都反映了本文日期截至本期的观点，除非指定了较早的日期。英特尔不承担更新此类陈述的任何义务，无论是由于新信息，新发展还是其他方式，除非法律要求披露，否则不承担任何责任。
关于塔半导体
高价值模拟半导体解决方案的领先铸造厂（NASDAQ：TSEM，Tase：TSEM）Tower Semiconductor Ltd.（TSEM：TSEM，Tase：TSEM）为消费者，工业，自动化，移动，移动，基础设施，医疗，医疗和空间和辩护提供了综合市场的技术和制造平台。 Tower半导体的重点是通过长期合作伙伴关系以及其先进和创新的模拟技术产品对世界产生积极和可持续的影响，包括广泛的可定制过程平台，例如SIGE，BICMOS，BICMOS，BICMOS，混合信号/CMOS，RF CMOS，RF CMOS，RF CMOS，CMOS IMAGE SENSOR，CMOS IMAGE SENSOR，CMOS IMBIVER，非象征性传感器，集成传感器，集成的功率管理（BCD和700 V），BCD和700。 Tower半导体还为IDMS和Fabless公司提供了快速准确的设计周期以及包括开发，转移和优化在内的过程转移服务，包括世界一流的设计支持。为了为客户提供多型式采购和扩展能力，Tower半导体在以色列拥有两个制造设施（150mm和200mm），两个在美国（200mm）（200mm）（200mm）（200mm和300mm），通过其在TPSCO中的51％持有，在TPSCO中拥有51％的持股，并共享300mm的制造设施，并通过ITSICROICS STMICROCROR来建立。有关更多信息，请访问www.towersemi.com。
关于前瞻性陈述的安全港
该新闻稿包括前瞻性陈述，这些陈述符合风险和不确定性。实际结果可能与此类前瞻性陈述所预期的结果有所不同。对可能影响本新闻稿中包含的前瞻性陈述的准确性的风险和不确定性的完整讨论包括在Tower上的“风险因素”标题“风险因素”中，以及与证券交易委员会（SEC和ISRAEL SECURITIES委员会提交的表格20-F和6-K）和以色列证券授权一样。 Tower无意进行更新，并明确否认更新的义务，即本版本中包含的信息。
