高通公司的Snapdragon 821幾乎沒有組裝線，但是關於即將到來的Snapdragon 830的談論已經在以太中持續存在。從這個主題中浮出水面的最新細節是，下一代移動芯片組將配備Quick Charge 4.0技術。
快速充電洩漏
據稱，這種洩漏的來源是配件製造商，首先是由技術裝備Fudzilla引用的。聲稱Snapdragon 830將能夠支持最多28W的快速充電速度。
為了將該數字置於上下文中，可以轉向當前的快速電荷3.0技術，該技術僅能在200mv增量的3.2到20V範圍內最多可達18W充電速度。由於節省效率和修訂的充電模式，該技術以達到定期充電而能夠達到四倍的充電速度而聞名。目前，Android旗艦設備壓倒性地使用了快速電荷3.0。
快速充電性能
與快速充電3.0的功能相比，還沒有關於收費的表現的清晰度，除了宣稱4.0可以立即縮放從0縮放到80％。快速指控4.0還準備擊敗當今領先的充電技術，其中包括Oppo的VOOC和華為專有的超級充電。前者可以支持20W，而專有的超級費用產品可以覆蓋高達22.5W。
高通的專有電池管理
預計高通公司將以最佳電壓（INOV）算法的智能談判為基礎，以優化電池充電過程，該過程以充電效率而聞名。確實，根據Android權威的說法，高通似乎有成立通過更好的INOV管理損壞電池的方法，可以傳輸大量功率。
高通公司吹捧了INOV確定電池能夠相應維持和調整傳輸水平的確切功率以避免過熱的能力。但是，如果Google開始要求製造商根據USB Type-C規格來採用自己的快速充電標準，那麼高通公司的快速收費技術的進一步發展可能會遭受挫折。
當Snapdragon 830最終推出時，消費者應該能夠享受快速電荷4.0技術。據信，移動芯片將在明年第一季度首次亮相。預計將為領先的Android製造商的旗艦設備提供動力。這些包括三星Galaxy S8， 這HTC 11和OnePlus 4。
