在韓國的“記憶和儲藏日”會議上，英特爾向公眾介紹了新的SSD，受洗，665p。 660p後繼是通過在96層使用Flash QLC存儲器的使用來區分，而64層對於660p。密度的增加將使提供更便宜，更高效的SSD成為可能。因此，比較這兩個模型的演示顯示了665p的1816 Mb/s和1887 Mb/s的流量，與660p的1228和1333 Mb/s的流動為書面。英特爾不打算停在那裡，甚至計劃在2020年達到144層。但是，最初將保留此密度用於企業，尤其是數據中心。
每個單元格五個數據
增加SSD密度的另一個軌道是增加細胞存儲的數據位。在TLC（三級單元格，每個細胞三位）之後，然後QLC（四級單元格或每個單元格四個位），Intel在Flash PLC內存（PENTA級單元格或每個單元格5位）上工作。東芝還宣布了他在PLC內存方面的工作，但兩家製造商尚未通信到可用性日期。
第二代Optane內存到達
最後，英特爾表達了其Flash Optane內存技術的未來，該技術用於SSD中，但也旨在替換RAM。第二代Optane內存計劃於明年，將與Xeon處理器一起運行冰湖以及庫珀湖（Cooper Lake）用於服務器和數據中心。那裡持續的Optane DC內存可以安裝代替傳統的DRAM DRAM內存，並提供更大的容量（具有256和512 GB桿）。它也通過保留數據來區分，這避免了將它們再次從存儲單元收取並減少延遲。這些特徵對於服務器和數據中心很重要，但不會關注公眾。
來源：
Legitreviews
