在韓國舉行的「記憶體與儲存日」會議上，英特爾向公眾展示了其新款SSD，名為665p。 660p 的後繼產品的特點是使用 96 層 QLC 閃存，而 660p 則為 64 層。密度的增加將使提供更便宜、更有效率的 SSD 成為可能。因此，比較這兩種型號的示範顯示，665p 的讀取速度為 1816 MB/s，寫入速度為 1887 MB/s，而 660p 的讀取速度為 1228 MB/s 和 1333 MB/s。英特爾並不打算就此止步，甚至計劃在 2020 年轉向 144 層。
每個單元五位數據
增加 SSD 密度的另一種方法是增加每個單元儲存的資料位數。經過TLC（Tri-Level Cell，每單元三位）記憶體和QLC（四級單元，或每單元四位），英特爾正在開發 PLC 快閃記憶體（五級單元，或每單元五位）。東芝也宣布了在 PLC 內存方面的工作，但兩家製造商尚未公佈上市日期。
第二代Optane記憶體來了
最後，英特爾宣布了其 Optane 快閃記憶體技術的未來，該技術用於 SSD，但也旨在取代 RAM。第二代Optane記憶體計畫於明年推出，並將與Xeon處理器配合使用冰湖用於伺服器和資料中心的 Cooper Lake。那裡Optane DC 持久內存可以安裝代替傳統的 DRAM RAM，並提供更大的容量（具有 256 和 512 GB 模組）。它還因其資料保留而脫穎而出，這避免了從儲存單元再次載入資料並減少了延遲。這些功能對於伺服器和資料中心很重要，但不會引起公眾的注意。
來源：
合法評論
