我們往往在最困難的條件下才最有創意：臉以降低難度塞斯雕刻工藝方面，英特爾陷入了僵局。 儘管英式積電三星的晶片採用 7 奈米工藝，英特爾已經落後，仍停留在 14 奈米製程上。 但除了製程的改進（標記為 14 nm ++！）以及宣布即將過渡到 7 nm - 2019 年期間？ – 英特爾並沒有袖手旁觀今天宣布其「Foveros」技術。
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這個名稱隱藏了製造「SoC」類型晶片（系統單晶片）的過程，其工作原理有點像（極佳的）樂高。 金代替設計一個包含所有邏輯晶片（CPU、圖形處理器,記憶， ETC。）但它不是很靈活，設計和生產複雜，英特爾Foveros可以單獨生產物品。 這樣做有幾個優點：每個元件都可以用最合適的雕刻技術來生產，晶片是模組化的，可以輕鬆適應其他需求等。 但有一個重要的限制，即組件的大小，英特爾和其他公司目前只組裝了二維邏輯電路。製造最終晶片的各種組件笨重，就像英特爾那樣提出 非盟國際消費電子展2018年其中包括一個CPU、一個顯示卡AMD和 HBM 記憶體。
科技福維羅斯讓您透過以 3D 形式組裝不同的電路（即將電路堆疊在另一個電路的頂部）來克服這一限制。 透過使用“中介層» 甚至透過開發主動電路（中央處理器）能夠作為其他電路（內存等）的支持，英特爾將能夠製造晶片“三明治」其中會更多容易的只發展系統全部集成，更豐富成分且尺寸相同。 足以讓英特爾重返小型化競賽，儘管它在 14 nm 上受阻？
很難預測，但如果技術持有塞斯技術承諾（能耗、性能）、流程福維羅斯可以在經濟上有利於英特爾，優雅製造成本低於經典 SoC，以獲得更大的設計彈性。
