另一方面，這是一個非常好的消息：作為「選擇法國」高峰會的一部分，瑞士法律下的法意公司意法半導體和美國格羅方德公司宣佈建設新工廠法國的半導體。後英特爾在薩克雷建造的設計中心（巴黎地區），這是今年該領域的第二個好消息。
意法半導體和格羅方德將共享的晶圓廠位於格勒諾布爾附近的克羅爾斯（電子元件工廠的名稱），將建在意法半導體已經運營的工廠旁邊，這將極大促進供應鏈的供應。
這項投資規模龐大，因為雙方簽署的諒解備忘錄金額達57億歐元，其中一部分是國家援助（具體金額未知）。該工廠將於 2026 年投入運營，每年將生產多達 62 萬片 300 毫米晶圓（矽晶圓），相當於數千萬個晶片。
目前的半導體短缺和近年來地緣政治緊張局勢的加劇凸顯了半導體生產本地控制的重要性。在汽車工業發達的法國，大多數製造商都遭受（並將繼續遭受！）這種短缺的困擾。因此，該工廠的成立恰逢其時，因為它的專業是使用該技術生產晶片FD-SOI（完全耗盡的絕緣體上矽，法語中的絕緣體上完全耗盡的矽）特別適合生產汽車專用的堅固零件。
技術先進，但沒有尖端的結構或雕刻
這是尾部出現的地方。這遠遠不是歷史的“黑暗面”，而是一個緩和法國公雞的叫聲的問題：是的，這家工廠將對我們當前的行業有用。是的，它會有用很多年。但這肯定不會為法國帶來全球優勢。
一方面，FD-SOI 蝕刻使用一種相當簡單的電晶體結構——稱為平面晶體管，而該行業已經主要採用 FinFET，正準備進入這一領域。GAAFET時代（三星、IBM 和英特爾已經與 VTFET 一起邁向未來！）。另外，它並不是我們經常告訴你的7奈米及以下的尖端刻工工廠（高階智慧型手機晶片是4奈米，正準備轉向3奈米）。這是有充分理由的：意法半導體和 GlobalFoundries 都沒有掌握這項可以大規模生產 10 奈米以下晶片的製程。
這並不意味著未來工廠不會採用先進技術，特別是在晶片電阻、物理公差等方面。我們在這裡只是指出，EUV「未來」雕刻（允許晶片蝕刻超過 5 奈米）不屬於該工廠的技術範圍。因此，一旦出現問題，就無法發展本地供應流，也無法在該地區發展這些技能。
雖然我們應該很高興看到法國製造商擁有專門用於現有行業的「法國製造」半導體的優質、現代化和本地生產工具（這將創造1000 個就業機會！），但我們必須繼續希望建立EUV 的計劃將在法國建立納米測試工廠。受到懲罰繼續向三星和台積電訂購晶片，同時等待德國英特爾馬格德堡工廠正在運行。
來源 ： 登記冊
