充電 5 分鐘即可額外使用 5 小時。這是Snapdragon 835的第一個官方功能。即與目前的 Quick Charge 3 相比，速度提高了 20%。高通下一代超級巨星SoC（系統單晶片）的其餘功能將於2017年1月3日在拉斯維加斯舉行的CES上正式揭曉。
正是在目前於紐約舉行的年度技術高峰會上，高通正式確定了將接替 Snapdragon 820 的晶片的名稱。期待的Galaxy S8 美國版開始。
三星將負責10nm雕刻
三星也透過韓國品牌處理器實體副總裁 Ben Sur 邀請自己參加高通紐約舞台上的聚會。他確認三星將在其工廠生產新的Snapdragon 835，採用10奈米雕刻－Snapdragon 820使用14奈米雕刻。
然而，這項公告並沒有什麼令人驚訝的。三星已經負責製造前幾代高通 SoC。去年10月，該公司宣布即將開始量產10奈米晶片。該技術將把 SoC 的尺寸縮小 30%（釋放智慧型手機內的空間），將效能提高 27%，同時能耗減少 40%。
我們對這個新的參考平台寄予厚望，它必須具體證明性能的提高和電力消耗的減少。 Snapdragon 835 也應該專為虛擬和擴增實境用途而設計。去年九月在柏林舉行的 IFA 展會上，高通確實推出了首款同類耳機，確認其希望成為這個蓬勃發展的行業的重要參與者。
