三星正在依靠10纳米芬费技术为了为即将到来的旗舰店提供电动，Galaxy S8，但报道表明，芯片可能并非全部被切割和干燥。
三星正面临涉嫌侵犯上述芬费技术专利的诉讼的边缘，三星同样夸张的是，同样的是对制造过程至关重要的。高通Snapdragon 835。
专利侵权
研究大学周三证实，该诉讼来自韩国高级科学技术研究所的知识产权管理部门Kaist IP。
Kaist IP在德克萨斯州的法院起诉三星电子产品报告。
根据该报告，Kaist开发了FinFET，但在邀请FinFET开发人员Lee Jong-Ho偷走了三星时被三星偷走了，向三星草皮的工程师进行了有关该技术的演讲。 Lee是首尔国立大学的教授，Kaist的合伙人机构。
从角度来看，英特尔还使用FinFET技术，但已从Kaist获得了适当的许可证，而三星却没有经历相同的过程。英特尔向KAIST支付特许权使用费以使用该专利。
不只是三星
除了三星，Kaist还起诉高通和全球铸造厂，后者已与三星获得了许可协议。一旦获得侵犯专利的证明，KAIST还将针对台湾半导体制造公司（TSMC）。
FinFET技术
所讨论的技术FinFET是为移动手机制造高级处理器的关键组成部分。这是一种旨在提高半导体性能并降低功耗的晶体管。
KAIST声称三星开发了自己的技术与FinFET相同，从而通过复制Lee开发的技术来减少开发时间和成本。三星尚未向Lee或Kaist提供适当的信贷或提供赔偿。
使用FinFET技术开发的10纳米芯片将为三星Galaxy S8。其他Galaxy S8的谣言声称手机为其所有变体摇滚弯曲显示器，距离三星的弯曲和平坦的显示组合一步Galaxy S7和S7边缘。智能手机还可以具有5.7英寸和6.2英寸的显示版本，以尝试三星上诉注意客户。智能手机还可能带有无线充电和基于触摸的电源按钮。
三星还将结合人工智能，以为Galaxy S8的语音助理提供动力，与Google的助手功能相似。据报道，助理将被称为viv，三星的后代获得由Siri的Cocreator经营的Viv Labs，这可能为三星的AI推动带来好运。
Galaxy S8计划于2017年发布。
