在处理器的功率或RAM的传递带的阴影下，我们的电子机器速度还有另一个主要因素：存储支持的速度。或更特别的是存储内存模块，例如美国微米刚刚提出的新一代UFS 4.0芯片。
这些小的黑色正方形最常直接直接焊接在我们智能手机，平板电脑和其他Chromebook的主板上，这是“死记忆”，设备的闪光存储的支撑。因此，UFS 4.0标准通过使其速度加倍来增强。这些最后两个参考文献在256 GB，512 GB和1 TB模块中可用，在阅读中可高达4,300 MB/s，书面的4,000 MB/s。对于用户而言，潜力可以显着加快许多任务的执行速度。
存储，永恒的勒死瓶颈
Micron提出的UFS 4.0回忆录和控制器是基于232 -layer技术的512 GB和1 TB模块。正是这种储存层密度的密度部分是这些高级速度的部分原因。我们的机器不需要推动固有限制，而要以我们的处理器和RAM的速度粘贴速度。
在这三个要素之间，确实是存储，这是执行速度的“弱连接”。尽管处理器的内部记忆（SRAM和记忆库）是该类型中最快的，但SSD的长期存储的大量和持久性是Peloton尾巴正方形的信息传输速度。这使其成为内存交换的瓶颈。以及放缓的重要来源。
PC备份和启动大型应用程序…和IA模型
使用智能手机显示高达16 GB的RAM和OCTOCUR处理器超过3.0 GHz的智能手机，有时有时会非常令人沮丧：启动一个非常大的应用程序，该应用程序需要几秒钟，而从计算机/来自计算机的文件副本也是如此。如果接口（如下阅读）对其有影响，则内部存储的速度会对流量产生巨大影响。
Micron的公告尚未受到其他人的遵循，包括智能手机制造商。但是，如果您遵循中国制造商的推出，我们将来邀请您注意所使用的存储模块的性质。中国制造商经常拥有最高端的模型，这是传达许多技术细节的良好习惯。在UFS 2.0终端和UFS 3.0文件交换速度之间，很大程度上支持后者。 UFS 4.0仍在加速运动。
对于发现自己的智能手机将“迅速感谢您，不需要更快的内存”的公众，您必须反驳两件事。一方面，这些芯片在许多其他设备中都使用，在这些设备中，有时应用比我们的手机更重。此外，CHAT-GPT灌输的LLM革命正在途中，随着它的许多变化。就像当地模型的到来一样，尊重隐私。将促使制造商膨胀RAM的模型（唯一足够快地将这些模型与使用相关的内存），也可以使存储速度（以将其迅速加载在RAM中）。
连接器和接口
不要期望设备的运行速度的一般性能增加一倍，以使UFS 3.0的理论性能加倍到UFS 4.0。因为存储内存的速度不是交换中的唯一限制因素。远离它。因此，3.2 Gen 2 USB插座的最大速度仅为1.25 GB/s（10 Gbit/s），两个通道上的Wi-Fi 7为0.73 Gbit/s（2×2.9 = 5.8 Gbit/s）。因此，在文件复制的情况下，直接或无线链接的存储速度不会是弱链路。
还要记住，微米显示的速度是理论上的最大速度，并且内存控制器的工作频率，内存中不同的应用程序（用于验证位置存储器的安全工具），等等。都是延迟因素。在链条结束时，我们有权期望2024年的平板电脑和旗舰智能手机的速度增长百分之几。
来源 ： 微米
