在处理器的功率或RAM的传递带的阴影下,我们的电子机器速度还有另一个主要因素:存储支持的速度。或更特别的是存储内存模块,例如美国微米刚刚提出的新一代UFS 4.0芯片。
这些小的黑色正方形最常直接直接焊接在我们智能手机,平板电脑和其他Chromebook的主板上,这是“死记忆”,设备的闪光存储的支撑。因此,UFS 4.0标准通过使其速度加倍来增强。这些最后两个参考文献在256 GB,512 GB和1 TB模块中可用,在阅读中可高达4,300 MB/s,书面的4,000 MB/s。对于用户而言,潜力可以显着加快许多任务的执行速度。
存储,永恒的勒死瓶颈
Micron提出的UFS 4.0回忆录和控制器是基于232 -layer技术的512 GB和1 TB模块。正是这种储存层密度的密度部分是这些高级速度的部分原因。我们的机器不需要推动固有限制,而要以我们的处理器和RAM的速度粘贴速度。

在这三个要素之间,确实是存储,这是执行速度的“弱连接”。尽管处理器的内部记忆(SRAM和记忆库)是该类型中最快的,但SSD的长期存储的大量和持久性是Peloton尾巴正方形的信息传输速度。这使其成为内存交换的瓶颈。以及放缓的重要来源。
PC备份和启动大型应用程序…和IA模型
使用智能手机显示高达16 GB的RAM和OCTOCUR处理器超过3.0 GHz的智能手机,有时有时会非常令人沮丧:启动一个非常大的应用程序,该应用程序需要几秒钟,而从计算机/来自计算机的文件副本也是如此。如果接口(如下阅读)对其有影响,则内部存储的速度会对流量产生巨大影响。
Micron的公告尚未受到其他人的遵循,包括智能手机制造商。但是,如果您遵循中国制造商的推出,我们将来邀请您注意所使用的存储模块的性质。中国制造商经常拥有最高端的模型,这是传达许多技术细节的良好习惯。在UFS 2.0终端和UFS 3.0文件交换速度之间,很大程度上支持后者。 UFS 4.0仍在加速运动。
对于发现自己的智能手机将“迅速感谢您,不需要更快的内存”的公众,您必须反驳两件事。一方面,这些芯片在许多其他设备中都使用,在这些设备中,有时应用比我们的手机更重。此外,CHAT-GPT灌输的LLM革命正在途中,随着它的许多变化。就像当地模型的到来一样,尊重隐私。将促使制造商膨胀RAM的模型(唯一足够快地将这些模型与使用相关的内存),也可以使存储速度(以将其迅速加载在RAM中)。
连接器和接口

不要期望设备的运行速度的一般性能增加一倍,以使UFS 3.0的理论性能加倍到UFS 4.0。因为存储内存的速度不是交换中的唯一限制因素。远离它。因此,3.2 Gen 2 USB插座的最大速度仅为1.25 GB/s(10 Gbit/s),两个通道上的Wi-Fi 7为0.73 Gbit/s(2×2.9 = 5.8 Gbit/s)。因此,在文件复制的情况下,直接或无线链接的存储速度不会是弱链路。
还要记住,微米显示的速度是理论上的最大速度,并且内存控制器的工作频率,内存中不同的应用程序(用于验证位置存储器的安全工具),等等。都是延迟因素。在链条结束时,我们有权期望2024年的平板电脑和旗舰智能手机的速度增长百分之几。
来源 : 微米