三星正在依靠10納米芬費技術為了為即將到來的旗艦店提供電動，Galaxy S8，但報導表明，芯片可能並非全部被切割和乾燥。
三星正面臨涉嫌侵犯上述芬費技術專利的訴訟的邊緣，三星同樣誇張的是，同樣的是對製造過程至關重要的。高通Snapdragon 835。
專利侵權
研究大學週三證實，該訴訟來自韓國高級科學技術研究所的知識產權管理部門Kaist IP。
Kaist IP在德克薩斯州的法院起訴三星電子產品報告。
根據該報告，Kaist開發了FinFET，但在邀請FinFET開發人員Lee Jong-Ho偷走了三星時被三星偷走了，向三星草皮的工程師進行了有關該技術的演講。 Lee是首爾國立大學的教授，Kaist的合夥人機構。
從角度來看，英特爾還使用FinFET技術，但已從Kaist獲得了適當的許可證，而三星卻沒有經歷相同的過程。英特爾向KAIST支付特許權使用費以使用該專利。
不只是三星
除了三星，Kaist還起訴高通和全球鑄造廠，後者已與三星獲得了許可協議。一旦獲得侵犯專利的證明，KAIST還將針對台灣半導體製造公司（TSMC）。
FinFET技術
所討論的技術FinFET是為移動手機製造高級處理器的關鍵組成部分。這是一種旨在提高半導體性能並降低功耗的晶體管。
KAIST聲稱三星開發了自己的技術與FinFET相同，從而通過複製Lee開發的技術來減少開發時間和成本。三星尚未向Lee或Kaist提供適當的信貸或提供賠償。
使用FinFET技術開發的10納米芯片將為三星Galaxy S8。其他Galaxy S8的謠言聲稱手機為其所有變體搖滾彎曲顯示器，距離三星的彎曲和平坦的顯示組合一步Galaxy S7和S7邊緣。智能手機還可以具有5.7英寸和6.2英寸的顯示版本，以嘗試三星上訴注意客戶。智能手機還可能帶有無線充電和基於觸摸的電源按鈕。
三星還將結合人工智能，以為Galaxy S8的語音助理提供動力，與Google的助手功能相似。據報導，助理將被稱為viv，三星的後代獲得由Siri的Cocreator經營的Viv Labs，這可能為三星的AI推動帶來好運。
Galaxy S8計劃於2017年發布。
