Terahertz中的MRAM記憶會徹底改變記憶的訪問嗎？

東京大學發表的一篇文章會改變我們的電子設備的面貌嗎？除非您有一台時間旅行機器並查看十年來發生的事情，否則很難說。但是可以肯定的是：該出版物可以使那些一直在等待超快速發展的人持續了四十年。

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MRAM或磁隨機訪問記憶從紙上看，是廣義上的記憶。相反：其訪問速度是納秒階，其編寫速度（單元格的變化）是Picsecond的，它在不使用時根本不會消耗能量，並且一旦關閉設備就可以保留信息。基本上，她將RAM（RAM）和ROM的力量結合在一起。它是美麗的，完美的，可以解決許多問題，尤其是在超級堆積者中，而且……它仍然沒有在群眾中進行工業化。

MRAM的資產：

它是非靜電（例如我們的硬盤驅動器或SSD）
它的速度比DRAM或Flash快1000倍，
在能夠編寫其他數據之前，沒有必要刪除先前存儲的數據
它消耗的能量很少
她在理論上是不可用的

正如其名稱的第一個“ M”所暗示的那樣，MRAM基於磁性原理。他說，作為回報，“磁場”，為研究人員和工程師帶來問題。特別是不可能在空間中隨機存儲磁細胞。這迫使單元格（複雜且昂貴）的對齊，從而產生一個減慢閱讀速度的磁場。從事它的研究人員有很多技巧，但他們通常包括玩接近絕對零的溫度...基本上：暫時，MRAM效果很好，但尚未準備好用於我們的電子設備的大規模生產。最後是以前。

降低電阻並在室溫下工作

東京大學的研究人員在1月18日發表的文章中必須取得成功出版自然在非常性感的標題下反鐵磁隧道連接處的八桿驅動磁場»，似乎在開發更有效且易於使用的MRAM方面佔據了許多科學障礙。 Digéré並使我們的同事從ScienceDaily獲得了更易讀（恩典返回給他們：普遍的科學，很難！），本文顯示了這些研究人員的兩個關鍵成功。

Primo，他們設計了一個全新的抗磁性組件。與由於在室溫下佔據的磁性順序而產生場的鐵磁磁鐵不同，該磁鐵不會產生此場。您將在這裡理解，他的缺席避免了寫作和閱讀信息的放緩。這使研究人員能夠保證細胞的速度變化，Terrahertz的階。就是說10順序^-12每秒時間。是的，它可能很快！

其次，該抗鐵磁成分在環境溫度下起作用。無需來並冷卻到極端以尋求材料的量子特性。這使MRAM更接近我們的現實世界。

其他障礙包括工業化

您是否認為彌撒說，您的時間在2033年會向您展示配備MRAM的機器？平息您的熱情，甚至從事工作的研究人員也不存在。作為實驗室研究人員在特定的科學點上取得了成功。根據此原則運行的非常密集的MRAM模塊所需的發展之和仍然是巨大的。

在接受ScienceDaily的採訪中，東京大學物理系的Satoru Nakatsuji教授解釋說，產生的抗鐵磁磁鐵的方式遠非微不足道：”我們使用分子噴射和磁控噴霧劑稱為外延的兩個過程，在令人難以置信的細層中培養真空晶體。 […]這是一個非常困難的程序，如果我們改進它，它將使我們的生活更輕鬆，還可以使我們能夠生產更有效的設備。您會明白的是，這是科學時代離開峰值實驗室的。

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通過承認這一過程正在改善，即使研究人員最終將獲得MRAM的複雜記憶模塊，重大挑戰將置於這項技術的道路上：工業化。要獲得從實驗室到小型生產的技術，進行其餘的研究，即防禦空間，這要邁出一步很大的一步。但是，您通常需要一個巨大的步驟才能進入批量生產的大小。唯一允許技術真正起飛的槓桿。顯而易見的是背光圖像傳感器。如果在實驗室中生產了許多傳感器，尤其是對於成像衛星的太空傳感器，直到索尼構想工業製造工藝Exmor r才開始看到這些超靈敏的光傳感器到來。首先是緊湊型，然後在智能手機中。