DDR5: Samsung จะผลิตหน่วยความจำที่เร็วและราคาถูกกว่าได้อย่างไร

หากเรายินดีกับการพัฒนาทางเทคโนโลยีใหม่ๆ อยู่เสมอ เราก็จะชอบการพัฒนาที่ลดราคาให้มากขึ้นไปอีก เช่นเดียวกับการประกาศของ Samsung เกี่ยวกับการมาถึงของโมดูล DDR 5 RAM ใหม่ที่แกะสลักใน 12 นาโนเมตรที่กำลังจะมาถึง วิวัฒนาการของกระบวนการผลิตซึ่งตามคำสัญญาของ Samsung จะช่วยให้โมดูลหน่วยความจำประหยัดพลังงานมากขึ้นในขณะที่ "มีประสิทธิภาพมากขึ้นถึง 23%» กว่าโมดูล DDR5 ในปัจจุบันที่แกะสลักไว้ที่ 14 นาโนเมตร สิ่งที่น่าทึ่งคือการมองกระจกมองหลังอย่างรวดเร็วทำให้คุณรู้ว่า Samsung ส่งมอบไปแล้วDDR4 ที่ 10 นาโนเมตรตั้งแต่ต้นปี 2565 แล้ว RAM ที่ทันสมัยกว่าที่แกะสลักน้อยกว่าจะเร็วกว่าได้อย่างไร? แล้วเหตุใด Samsung จึงไม่เบิร์น DDR 5 ลงในโหนดการผลิตที่บางที่สุดโดยตรง? และการแสดงที่ประกาศของหน่วยความจำใหม่นี้คืออะไร?

ประการแรกความเร็ว…

ก่อนอื่น เรามาชี้แจงกันก่อนว่าความต้องการที่สำคัญที่สุดในแง่ของหน่วยความจำนั้นเกี่ยวข้องกับความเร็วมากกว่าปริมาณของหน่วยความจำ แน่นอนว่าวิดีโอเกมพีซีที่หายากบางเกมเริ่มต้องการ RAM ขนาด 32 GB และความต้องการด้านกราฟิกเกิน 12 GB แต่โดยรวมแล้ว ความก้าวหน้าในด้านจำนวนหน่วยความจำมีการพัฒนาอย่างช้าๆ พีซีมีความจุสูงสุดที่ 16 GB โดยการอ้างอิงบางส่วนอยู่ที่ 32 GB (ไม่รวมการใช้งานระดับมืออาชีพ) เช่นเดียวกับสมาร์ทโฟน อย่างไรก็ตาม สิ่งที่ทุกภาคส่วนต้องการคือการเร่งความเร็วในการไหลของข้อมูลระหว่างส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ต่างๆ ของเครื่องของเรา และนั่นคือจุดคอขวดที่แท้จริง: แม้ว่าชิปสำหรับพีซี สมาร์ทโฟน และซูเปอร์คอมพิวเตอร์อื่นๆ ยังคงเห็นว่าพลังของมันเพิ่มขึ้นอย่างมากทุกปี แต่ความเร็วของการแลกเปลี่ยนหน่วยความจำ (RAM, เครือข่าย) จะไต่ขึ้นอย่างนุ่มนวลมากขึ้น

อ่านเพิ่มเติม:DDR5: RAM รุ่นใหม่ได้รับการสรุปแล้วและจะมาถึงพีซีในปี 2564(กรกฎาคม 2563)

คำนำนี้จึงช่วยอธิบายว่าทำไมโมดูลหน่วยความจำ DDR5 ในอนาคตของ Samsung ที่วางแผนไว้สำหรับ 4^จไตรมาสปี 2023 จะถูกจารึกไว้ “โดยประมาณ” มากกว่า DDR4 รุ่นก่อนหน้าเล็กน้อย เนื่องจากการสนับสนุนหลักของ DDR5 นั้นน้อยกว่าความจุสูงสุดตามทฤษฎีของโมดูล (แม้ว่าจะเพิ่มขึ้นก็ตาม) มากกว่าวิธีที่ข้อมูลส่งผ่าน โดยไม่ต้องลงรายละเอียด DDR5 ให้การจัดการพลังงานที่ดีกว่า เช่นเดียวกับแรงดันไฟฟ้าที่ต่ำกว่า (1.1V เทียบกับ 1.2V) ซึ่งช่วยลดการใช้พลังงานที่ความถี่เดียวกัน – และเพื่อกระตุ้นความถี่ที่สูงกว่า ความเร็วที่เหนือกว่านั้นยังเนื่องมาจากวิธีการจัดการกับโมดูลหน่วยความจำแต่ละโมดูลไม่ใช่แค่เพียงช่องเดียว แต่บนสองช่องสัญญาณ หรือแม้แต่สี่ช่องสำหรับโมดูลระดับคู่ ซึ่งทำให้ Samsung อ้างว่าโมดูลของตนจะสามารถทำงานได้สูงสุด 7.2 Gbit/s

… จากนั้นจึงควบคุม จากนั้นจึงใช้ความประณีต

ผู้ที่ชื่นชอบการแกะสลักอย่างประณีตอาจถามว่า “แต่ทำไม Samsung ถึงไม่แกะสลักโมดูลหน่วยความจำในแบบ 4 นาโนเมตรเหมือนกับที่ทำกับโปรเซสเซอร์ล่ะ - คำถามที่สมเหตุสมผลบนกระดาษ… แต่ไม่ใช่ในทางปฏิบัติ เนื่องจากสิ่งสำคัญคือต้องเข้าใจว่าชิปไม่ได้แกะสลักอย่างสม่ำเสมอใน 4 นาโนเมตร: เฉพาะส่วนที่คำนวณของ CPU (หรือแม้แต่ส่วนของ GPU) เท่านั้นที่จะได้รับประโยชน์จากความหนาแน่นนี้ อันที่จริงองค์ประกอบของหน่วยความจำภายในโปรเซสเซอร์ (หน่วยความจำประเภทหนึ่งที่เรียกว่า SRAM)ไม่สามารถบรรจุได้หนาแน่นเท่ากับทรานซิสเตอร์ที่เกี่ยวข้องกับการคำนวณ-

ข้อกังวลทั่วไปเกี่ยวกับหน่วยความจำคือโครงสร้างเชิงพื้นที่ - รูปร่าง 3 มิติ - และความจำเป็นในการแยกระหว่างแต่ละเซลล์เพื่อรักษาความสมบูรณ์ของการลดขนาดขีดจำกัดของข้อมูล DDR5 ดึงคุณสมบัติมาจากความซับซ้อนที่มากขึ้นและกลายเป็นหลักสำคัญของความสามารถในการทำกำไรของโรงงานผลิตเซมิคอนดักเตอร์ Samsung จะต้องดำเนินการทีละขั้นตอน ขั้นแรก พึ่งพาวิธีการที่เชื่อถือได้ แม้ว่าจะยังคงอยู่ที่คมตัด (14 นาโนเมตรก่อนหน้านี้อยู่ใน EUV แล้ว) จากนั้นจึงค่อยพัฒนาขนาดจิ๋ว โดยไม่กระทบต่อคุณภาพหรือผลผลิต

ท้ายที่สุดแล้ว DDR5 ไม่เพียงแต่จะเข้าร่วมกับ DDR4 ในการแกะสลักที่ระดับ 10 นาโนเมตรเท่านั้น แต่ยังจะมีความหนาแน่นมากขึ้นอีกด้วย:TSMC ได้ตรวจสอบกระบวนการ 5 นาโนเมตรแล้วกับซอฟต์แวร์ยักษ์ใหญ่ด้านการผลิตชิปอย่าง Synopsys และ Cadence แต่ขั้นตอนทางทฤษฎีเหล่านี้ไม่ได้ให้ผลตอบแทนเพียงพอสำหรับการแสวงหาประโยชน์เชิงพาณิชย์ในทันที เมื่อเครื่องมือเหล่านี้ได้รับการพัฒนาแล้ว เครื่องมือเหล่านั้นจะต้องบูรณาการเข้ากับขั้นตอนการผลิตในโลกแห่งความเป็นจริง นั่นก็คือ การค้นหาส่วนประกอบทางเคมีที่เหมาะสม การปรับปรุงขั้นตอนการผลิต เป็นต้น ซึ่งอาจใช้เวลาหลายปี

🔴 เพื่อไม่พลาดข่าวสาร 01net ติดตามเราได้ที่Google ข่าวสารetวอทส์แอพพ์-

แหล่งที่มา : ซัมซุง