快速的微芯片的進步可以幫助工程師整合計算機的短期和長期記憶。
對於計算機速度的所有最新進展，它們的指揮中心仍然相對效率低下。中央處理器進行所有思考，並在稱為動態隨機訪問存儲器或DRAM的芯片上快速存儲一堆1s和0。但是DRAM僅在計算機打開時起作用，因此它只能用作短期內存。長期途徑所需的數據必須存儲在單獨的磁盤驅動器或諸如相機存儲卡之類的閃存驅動器上。
幾十年來，研究人員一直在爭奪創造通用記憶：將DRAM的速度和可靠性與Flash的檔案能力相結合的芯片。預付款於6月11日發表自然通訊，修復了名為鐵電ram的領先通用內存競爭者的弱點。
儘管它是快速和節能的，但幀仍存在長期可靠性的問題。要確定位是1還是0，芯片必須應用損害數據的電壓。然後，它必須重寫數據以保存它。這些步驟逐漸降低存儲容量。
加利福尼亞大學伯克利分校的材料科學家Ramamoorthy Ramesh與新加坡Nanyang Technological University的一組工程師合作，開發了一種閱讀數據的方法，而無需銷毀數據，然後重寫它。他們的解決方案是在每個含糊的細胞上發光，並測量從中產生的電流。電流的量表示位是1還是0。最重要的是，光閃亮的過程保留了數據，無需重寫步驟。
研究人員使用其原型Fram芯片讀取並撰寫了數億次數據，沒有降解跡象。相比之下，閃存的限制為數十万讀/寫週期。加州大學洛杉磯分校（UCLA）的電工工程師康·王（Kang Wang）說：“創新的想法是讀數。” “這項創新可能會增加在工業中實施框架的機會。”
拉梅什（Ramesh）承認，在框架改變計算之前，工程問題和經濟問題仍然存在。其他幾種RAM技術可以作為通用記憶，包括一些由英特爾和三星等科技巨頭支持的。
